发明名称 | 双气隙电磁结构 | ||
摘要 | 一种双气隙电磁结构,其包含一导磁片组、一轴向永磁、一径向永磁及一线圈,该导磁片组具有复数个磁极面,该轴向永磁系用以与该导磁片组之部份磁极面构成该电磁结构之轴向气隙,该径向永磁系用以与该导磁片组之部份磁极面构成该电磁结构之径向气隙,该线圈系单相轴向绕线设置于该导磁片组内,藉此提升输出转矩、增加运作效率,并达到小型化、低成本等目的。 | ||
申请公布号 | TWI325212 | 申请公布日期 | 2010.05.21 |
申请号 | TW095140650 | 申请日期 | 2006.11.03 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 刘建圣;林柏衡;卓英吉;张裕修 |
分类号 | H02K3/28 | 主分类号 | H02K3/28 |
代理机构 | 代理人 | 陈正益 | |
主权项 | 一种双气隙电磁结构,其包括:一导磁片组,其具有复数个磁极面,该导磁片组系由一内导磁片与一外导磁片所构成;一轴向永磁,系用以与该导磁片组之部份磁极面构成该电磁结构之轴向气隙;一径向永磁,系用以与该导磁片组之部份磁极面构成该电磁结构之径向气隙;一线圈,系设置于该导磁片组内。 | ||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |