具有双应力衬垫的非对称静态随机存取存储器单元

摘要

本发明公开一种固态存储器，其中每个存储器单元由用双应力衬垫(DSL)技术实现的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器构成。通过利用具有与其相应的对照物相反的应力特性的应力衬垫来构建反相器晶体管之一或传输门晶体管，非对称性被包含在每个存储器单元中。由所产生的非对称特性导致的改进的单元稳定性是以无成本方式实现的。

主权项

一种固态存储器单元，其包括：包括反相器和传输门晶体管的第一反相器电路，其具有用于将其反相器与其传输门晶体管之间的第一存储节点耦合到第一位线的输出端，并具有输入端，所述第一反相器电路由一个或更多p沟道金属氧化物半导体晶体管即MOS晶体管和一个或更多n沟道MOS晶体管构成，其中所述p沟道MOS晶体管是用压缩衬垫层构造的，而所述n沟道MOS晶体管是用伸展衬垫层构造的；以及包括反相器和传输门晶体管的第二反相器电路，其具有用于将其反相器与其传输门晶体管之间的第二存储节点耦合到第二位线的输出端，所述第二存储节点耦合到所述第二反相器电路的所述反相器的输入端，所述第二反相器电路具有耦合到所述第一反相器电路中的所述第一存储节点的输入端，所述第二反相器电路由一个或更多p沟道MOS晶体管和一个或更多n沟道MOS晶体管构成；其中所述第二反相器电路的所述MOS晶体管中的一个是用具有与所述第一反相器电路中的对应MOS晶体管的应力特性相反的应力特性的衬垫层构造的。