| 发明名称 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；步骤S2：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；步骤S3：提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；步骤S4：对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；步骤S5：执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片。本发明的优点在于：1、减小顶部晶圆切割工艺中的缺陷，完全清除了检测区域中形成的碎片。2、避免了检测探针损坏(Probe Card damage)的发生，降低了制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105984839A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510090206.2 | 申请日期 | 2015.02.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王伟;郑超;闾新明 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；步骤S2：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；步骤S3：提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；步骤S4：对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；步骤S5：执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||