发明名称 System und Verfahren für einen Gatetreiber
摘要 Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Steuern eines Schalttransistors ein Anlegen einer ersten Spannung an einen ersten Knoten eines schaltbaren Tankkreises, wobei der erste Knoten mit einem Steuerknoten des Schalttransistors gekoppelt ist, die erste Spannung eine erste Polarität in Bezug auf einen Referenzanschluss des Schalttransistors aufweist, und die erste Spannung derart ausgelegt ist, dass sie den Schalttransistor in einen ersten Zustand versetzt. Nach dem Anlegen der ersten Spannung wird der schaltbare Tankkreis aktiviert, wobei eine Spannung des ersten Knotens von der ersten Spannung in eine zweite Spannung übergeht, die derart ausgelegt ist, dass sie den Schalttransistor in einen von dem ersten Zustand verschiedenen zweiten Zustand versetzt. Der schaltbare Tankkreis wird deaktiviert, nachdem die Spannung des ersten Knotens die zweite Polarität annimmt.
申请公布号 DE102016110021(A1) 申请公布日期 2016.12.08
申请号 DE201610110021 申请日期 2016.05.31
申请人 Infineon Technologies Austria AG 发明人 Leong, Kennith Kin;Notsch, Chris Josef;Syed, Hadiuzzaman
分类号 H03K17/06 主分类号 H03K17/06
代理机构 代理人
主权项
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