发明名称 具高出光之发光二极体
摘要 本创作之具高出光之发光二极体,其用于同侧电极设置或垂直电极设置之结构,其中同侧电极设置之结构包含一基板、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一金属奈米颗粒层与一第一电极及一第二电极,N型半导体层、发光层、P型半导体、金属奈米颗粒层与透明导电层依序设于基板上,第一电极设于N型半导体层上,而第二电极设于透明导电层上,垂直电极设置之结构系改以N型半导体层、发光层、P型半导体层、金属奈米颗粒层与透明导电层依序设置于一导电基板上,因此仅设电极于透明导电层上。本创作藉由金属奈米颗粒层提高出光效率。
申请公布号 TWM426883 申请公布日期 2012.04.11
申请号 TW100219943 申请日期 2011.10.24
申请人 璨圆光电股份有限公司 桃园县龙潭乡龙潭科技工业园区龙园一路99号 发明人 李芳仪;廖汉忠;郑惟纲;潘锡明
分类号 H01L33/14 主分类号 H01L33/14
代理机构 代理人 蔡秀玫 新北市土城区金城路2段211号4楼A1室
主权项
地址 桃园县龙潭乡龙潭科技工业园区龙园一路99号