发明名称 |
一种 SIP 模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统 |
摘要 |
本发明公开了一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统,涉及半导体领域,包括:步骤S10获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S20根据沟槽切割数据,采用镭射在固化区域进行切割,形成待填充银胶的沟槽,沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S30当填入沟槽的银胶固化后,获取预留的固化部分到裸露区域的距离数据;步骤S40根据距离数据对应的预设镭射控制参数,采用镭射切除预留的固化部分,将固化区域和裸露区域打通。当银胶固化后,自动获取相应的预设镭射控制参数将预留的固化部分切除,减小了产品报废的机率。 |
申请公布号 |
CN105904099A |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201610301017.X |
申请日期 |
2016.05.09 |
申请人 |
环维电子(上海)有限公司 |
发明人 |
张亮;张少华 |
分类号 |
B23K26/38(2014.01)I |
主分类号 |
B23K26/38(2014.01)I |
代理机构 |
上海硕力知识产权代理事务所 31251 |
代理人 |
郭桂峰 |
主权项 |
一种SIP模组的银胶沟槽的切割方法,其特征在于,包括:步骤S10获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;所述沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S20根据所述沟槽切割数据,采用镭射在所述固化区域进行切割,形成待填充银胶的沟槽,所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S30当填入所述沟槽的银胶固化后,获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据;步骤S40根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数,采用镭射切除预留的所述固化部分,将所述固化区域和所述裸露区域打通。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区金桥出口加工区龙桂路501号 |