| 发明名称 | 制造半导体存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括在衬底上形成沟道区，选择性蚀刻衬底以形成第一沟槽，在所述沟道区上进行杂质离子注入工艺，和蚀刻所述第一沟槽的下部以形成第二沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN101339894A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810004205.1 | 申请日期 | 2008.01.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔世卿 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成沟道区；选择性蚀刻所述衬底以形成第一沟槽；在所述沟道区域上进行杂质离子注入工艺；和蚀刻所述第一沟槽的下部以形成第二沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||