一种防止MOS晶体管发生栅极贫化现象的方法

摘要

本发明提供一种在半导体晶片的基板上制作金属氧化物半导体(MOS)晶体管并能防止该MOS晶体管发生栅极贫化现象的方法。该方法是先在该基板表面形成氧化硅层，接着于该氧化硅层表面上形成非晶硅层，然后在该非晶硅层表面形成多晶锗化硅(Si_1-xGe_x，0.05≤x＜1.0)层。随后进行刻蚀工艺，去除部分该锗化硅层以及该非晶硅层，用以在该基板表面上形成多个该MOS晶体管的栅极。最后在各该栅极周围形成隔离壁，并在该基板内形成各该MOS晶体管的源极与漏极。

主权项

1.一种在半导体晶片的基板表面上制作MOS晶体管并防止该MOS晶体管发生栅极贫化现象的方法，该方法包括下列步骤：在该基板表面形成氧化硅层；在该氧化硅层表面上形成非晶硅层；在该非晶硅层表面形成锗化硅层；进行刻蚀工艺，刻蚀该锗化硅层以及该非晶硅层，以及在该基板表面上形成该MOS晶体管的栅极；在该栅极周围形成隔离壁；以及在该基板内形成该MOS晶体管的源极与漏极。