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<p>Thermoelektrisches Element mit mindestens einer n-Schicht (1) und mindestens einer p-Schicht (2) eines oder mehrerer dotierter Halbleiter, wobei die n-Schicht(en) (1) und die p-Schicht(en) (2) unter Ausbildung wenigstens eines pn-Überganges (3) angeordnet sind, wobei zumindest eine n-Schicht (1) und zumindest eine p-Schicht (2) elektrisch selektiv kontaktiert sind und ein Temperaturgradient (T1, T2) parallel (x-Richtung) zur Grenzschicht (3) zwischen wenigstens einer n- und p-Schicht (1, 2) angelegt oder abgegriffen wird, wobei mindestens ein pn-Übergang im wesenstlichen entlang der gesamten vorzugsweise längsten Ausdehnung der n-Schicht(en) (1) und der p-Schicht(en) (2) und damit im wesentlichen entlang deren gesamten Grenzschicht (3) ausgebildet ist.</p> |
