Halbleitervorrichtung mit Feldelektrode und Kontaktstruktur

摘要

Halbleitervorrichtung, umfassend: eine Feldelektrodenstruktur (160), die eine Feldelektrode (165) und ein die Feldelektrode (165) umgebendes Felddielektrikum (161) aufweist, einen Halbleiterkörper (100) einschließlich eines die Feldelektrodenstruktur (160) umgebenden Transistorabschnitts (TS) und mit einer Sourcezone (110), einem ersten Driftzonenabschnitt (121a) und einer die Sourcezone (110) und den ersten Driftzonenabschnitt (121a) trennenden Bodyzone (115), wobei die Bodyzone (115) einen ersten pn-Übergang (pn1) mit der Sourcezone (110) und einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit dem ersten Driftzonenabschnitt (121a) bildet, eine Gatestruktur (150), die die Feldelektrodenstruktur (160) umgibt und eine Gateelektrode (155) und ein die Gateelektrode (155) und die Bodyzone (115) trennendes Gatedielektrikum (151) aufweist, und eine Kontaktstruktur (315), die direkt an die Source- und Bodyzonen (110, 115) angrenzt und die Feldelektrodenstruktur (160) gleichmäßig bezüglich der Feldelektrodenstruktur (160) umgibt.