发明名称 |
表面发射激光器阵列、光学扫描装置及图像形成装置 |
摘要 |
一种表面发射激光器阵列包括多个表面发射激光器元件(1)。每个表面发射激光器元件包括:第一反射层(102),形成于基板(101)上;共振器腔(103,104,105),形成为接触第一反射层并包含有源层(104);以及第二反射层(106,107),形成于第一反射层上方并接触共振器腔。第二反射层包含选择性氧化层(107)。第一反射层在有源层侧至少包含低折射率层(1021),该低折射率层由例如AlAs制成且氧化速率相当于或高于包含在第二反射层内的选择性氧化层(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。台结构的底部位于选择性氧化层下方和第一反射层上方。 |
申请公布号 |
CN101356702A |
申请公布日期 |
2009.01.28 |
申请号 |
CN200780001407.4 |
申请日期 |
2007.08.20 |
申请人 |
株式会社理光 |
发明人 |
佐藤俊一;伊藤彰浩;菅原悟;庄司浩义 |
分类号 |
H01S5/183(2006.01);H01S5/42(2006.01);B41J2/47(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/183(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
王冉 |
主权项 |
1.一种表面发射激光器阵列,所述表面发射激光器阵列包含多个表面发射激光器元件,所述多个表面发射激光器元件的每一个包括:第一反射层,形成于基板上以构成半导体布拉格反射器;共振器,形成为接触所述第一反射层并包含有源层;以及第二反射层,形成于所述第一反射层上方并接触所述共振器以构成所述半导体布拉格反射器,所述第二反射层中含有选择性氧化层,其中所述第一反射层在所述有源层侧至少包含低折射率层,所述低折射率层的氧化速率相当于或高于包含在所述第二反射层内的选择性氧化层的氧化速率,所述共振器是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成,且每个表面发射激光器元件中的台结构的底部位于所述选择性氧化层下方和所述第一反射层上方。 |
地址 |
日本东京都 |