| 发明名称 | 瞬态电压抑制器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种瞬态电压抑制器，包括：芯片体，所述芯片体的上表面设有一对并行设置的第一沟槽，所述第一沟槽与所述芯片体上相邻的端部之间形成切割区域；覆设于所述第一沟槽表面的第一复合钝化层；覆设于所述芯片体上表面且位于一对所述第一沟槽之间的上电极金属层；以及覆设于所述芯片体下表面的下电极金属层。在一对第一沟槽的外侧形成切割区域，在将芯片切割成独立单元时，排除任何可能产生微小机械损伤所带来的潜在失效风险，在切割后，将切割损伤全部留在了芯片的非工作区，令任何机械损伤不涉及到芯片工作时的台面，从而有效地保证了产品的优良特性，具有高的可靠性和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN205319164U | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201620006794.7 | 申请日期 | 2016.01.05 |
| 申请人 | 上海美高森美半导体有限公司 | 发明人 | 冯亚宁;张意远 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人 | 刘秋兰 |
| 主权项 | 一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：芯片体，所述芯片体的上表面设有一对并行设置的第一沟槽，所述第一沟槽与所述芯片体上相邻的端部之间形成切割区域；覆设于所述第一沟槽表面的第一复合钝化层；覆设于所述芯片体上表面且位于一对所述第一沟槽之间的上电极金属层；以及覆设于所述芯片体下表面的下电极金属层。 | ||
| 地址 | 201108 上海市闵行区申南路203号 | ||