一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种利用N₂、NH₃、SiH₄三种气体在高频电击下镀晶体硅太阳能电池多层交错变化的氮化硅减反射膜，属于晶体硅太阳能电池领域。本发明包括沉积在硅片上的多层折射率和膜厚交替变化的氮化硅减反射膜。折射率依次为先小后大，但单数膜层相互比较N值是依次减小，双数膜层相比较N值也是依次减小。膜厚度依次是先厚再薄（单数膜层厚，双数膜层薄），工艺膜厚结果数值与折射率值相比成反比例，也就是单膜数相比较和双层膜数相比较膜厚会越来越厚。根据多层减反射膜物理特性，本交替型减反射膜的相消干涉的具有更好的透射率，增加光的吸收，进而在P/N结处产生较多的光生电子，提高光电转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜，其特征在于：所述减反射膜包括沉积在硅晶体表面的5层折射率和膜厚不等的氮化硅薄膜，各层厚度至下而上先厚再薄逐渐交替变厚，折射率至下而上先小后大逐渐交错减小，具体为：第一层减反射膜的膜厚保持在15±2nm，折射率在2.0至2.05；第二层减反射膜的膜厚保持在4－6 nm，折射率控制在2.2－2.35；第三层减反射膜的膜厚保持在20±2nm，折射率在1.9至1.95；第四层减反射膜的膜厚保持在8－10 nm，折射率控制在2.1－2.2；第五层减反射膜的膜厚保持在30±2nm，折射率在1.8至1.9。