Verfahren zum Verhindern eines Kurzschließens von benachbarten Einheiten

摘要

Verfahren, das aufweist: Bilden einer Mehrzahl von Fins (101 bis 104) einer Mehrzahl von Feldeffekttransistoren auf einem Substrat (109); Bilden von wenigstens einer Barrierenstruktur (162) zwischen einem ersten Fin (102) und einem zweiten Fin (103) der Mehrzahl von Fins (101 bis 104), wobei eine ab dem Substrat gemessene Höhe der wenigstens einen Barrierenstruktur (162) höher ist als die von den ersten Fins (102) und den zweiten Fins (103); und Aufwachsen einer epitaxialen Dünnschicht (181 bis 188) aus der Mehrzahl von Fins (101 bis 104), wobei sich die epitaxiale Dünnschicht (181 bis 188) horizontal von Seitenwänden von wenigstens dem ersten Fin (102) und dem zweiten Fin (103) aus erstreckt und die Barrierenstruktur (162) verhindert, dass der erste Fin (102) und der zweite Fin (103) durch die epitaxiale Dünnschicht (181 bis 188) miteinander in Kontakt kommen.