发明名称 显示器件
摘要 根据本发明的显示器件包括:用来在在晶体管的栅电极等与数据线、漏电极等之间形成隔离的整平层;以及形成在整平层的上表面或下表面上且同时用来抑制来自整平层的潮气或放气组分的扩散的势垒层。此显示器件采用了一种器件结构,此器件结构借助于在整平层与势垒层之间创造一种位置关系而能够有效降低对整平层的等离子体损伤。而且,与新颖结构组合作为象素电极的结构,还能够提供诸如提高亮度之类的效果。
申请公布号 CN100445812C 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN03131288.8 申请日期 2003.05.13
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;村上智史;纳光明
分类号 G02F1/133(2006.01);H05B33/14(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 G02F1/133(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;梁永
主权项 1.一种显示器件,它包含:制作在衬底上的晶体管;以及与晶体管电连接的发光元件,此晶体管包含:包含半导体的有源层;与有源层接触形成的栅绝缘膜;邻近有源层的栅电极,以栅绝缘膜插入其间;形成在有源层上的势垒层;形成在势垒层上的整平层;以及形成在整平层上的漏电极,所述发光元件包含:与整平层上的漏电极的上表面接触的象素电极;与象素电极接触形成的发光部分;以及通过发光部分面对象素电极的反电极,且其中,漏电极通过形成在栅绝缘膜和势垒层中的第一窗口以及形成在整平层中的第二窗口与有源层电连接。
地址 日本神奈川县厚木市
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