| 发明名称 | 半导体装置及用于其制造的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置(20)，其包括带有集成的PN二极管的沟槽－MOS－势垒－肖特基－二极管，本发明还涉及用于其制造的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101057340A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200580038217.0 | 申请日期 | 2005.09.13 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | 阿尔弗雷德·格拉赫;宁·曲 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01);H01L29/866(2006.01);H01L29/872(2006.01);H01L21/329(2006.01) | 主分类号 | H01L29/861(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 曾立 |
| 主权项 | 1.半导体装置(20，30)，包括一个带有集成的PN二极管的沟槽-MOS-势垒-肖特基-二极管。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||