| 主权项 |
1﹒一种半导体装置,包括;由半导体材料制成之一本体,具有相对之第一及第二主要表面以及在其间延伸之一周边边缘。该本体开始时乃具有一种传导性者;具有第二种传导体性而在该本体内延伸之第一区,该第一区与该本体在其介面处形成一第一PN接合面,该接合面包括实质上与该第一表面成垂直延伸之一边缘部份,与该第一表面实质上成平行延伸之一底部部份,以及将该边缘部份与该底部部份相连接之一圆弧部份;该边缘部份之外廓部份,该外廓自第一区内之第一表面开始向第二表面延伸而达第一梯阶,该第一梯阶与第一PN接合面之该边缘部份相交,该外廓自邻近该相交处之一点再向第二表面延伸而达第二梯阶,该外廓系凹陷于该相交处及该第二梯阶之间者。2﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体装置,其中:该第一及第二梯阶30,32实质上系与该第一表面14相平行。3﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体装置,其中:该第二梯阶32实质上系与该底段24共平面。4﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体装置,更包括:在该轮廓部份上之一层钝化物质34。5﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体装置,其中:该第一梯阶30,实质上系与该边段26垂直相交。6﹒根据上述请求专利部份第1项之一种半导体装置,更包括:在具有该第二种型态传导性之该第一区内之一第二区,该第二区系与该第一表面邻接;在具有该一种型态传导性之该第二区内至少具有一第三区,该第三区系与该第一表面邻接;并有一第四区与该第二表面邻接,第二表面向该本体内延伸并具有该一种型态之传导性。7﹒根据上述请求专利部份第6项之一种半导体装置,其中:该第二区较之该第一区具有较高之表面载子浓度。8﹒根据上述请求专利部份第6项之一种半导体装置,其中:该第四区较之该本体具有较高之载子浓度。9﹒根据上述请求专利部份第6项之一种半导体装置,其中:该第四区更包括一部份,该部份要较该第四区之其余部份更延伸进入该本体。10﹒根据上述请求专利部份第9项之一种半导体装置,其中:该延伸部份实质上系与该第三区垂直对准。11﹒根据上述请求专利部份第10项之一种半导体装置,其中:该装置为一电晶体,该电晶体以第三区为一封极区,该第一及该第二区则共同成为基极区,以及该第四区与该本体物质则为一集极区。 |
