| 摘要 |
기판의 표면에 소자 구조를 형성함과 아울러, 그 기판의 이면에 이면 구조를 형성하는 소자 형성 공정과, 그 이면 구조에 파장 λi의 적외선을 입사시켜 그 기판의 적외선 방사율을 얻는 방사 온도계를 이용하여 그 기판의 온도를 측정하면서, 그 소자 구조의 표면에 성막하는 성막 공정을 구비한다. 그 이면 구조는, 외부에 노출되는 제 1 층과, 그 제 1 층에 접하고 그 제 1 층보다 굴절률이 작은 제 2 층을 갖고, 그 성막 공정에서의 그 제 1 층의 층 두께를, n을 양의 짝수로 했을 때, (2n-1)λi/8로부터 (2n+1)λi/8의 범위로 했다. |
