发明名称 晶片储存组合之晶片取出感测装置
摘要 一种晶片储存组合之晶片取出感测装置,乃种将晶片取出感测由线性感测升级为平面感测之装置者,其系于晶片储存组合之晶片取出口处,设置一平面检测单元,用以检测晶片于取出口上之位置是否符合预定之晶片平面持取面位置;藉由平面检测单元之设置,可有效检测晶片是否已正常位于晶片持取位置上,以避免因晶片置放位置之不良、导致持取机械臂之撞片情形发生,藉此得以免除撞片、确保晶片正确持取、并得以提高制程之良率。
申请公布号 TW414363 申请公布日期 2000.12.01
申请号 TW088200377 申请日期 1999.01.12
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 颜太禹;蔡文旺
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 郑煜腾 台北巿松德路一七一号二楼
主权项 1.一种晶片储存组合之晶片取出感测装置,系运用于具有一晶片取出口之晶片储存组合上,乃于该取出口处设置一平面检测单元,用以检测晶片于该取出口上之位置是否符合预定之平面持取面位置。2.如申请专利范围第1项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,其中所述之该平面检测单元之包括一第一感应器组合与一第二感应器组合,乃分别于该取出口之持取面上具有直线之一第一检验线及一第二检验线。3.如申请专利范围第2项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,其中所述之该第一感应器组合系包括一发射器与一接收器。4.如申请专利范围第2项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,其中所述之该第二感应器组合系包括一发射器与一接收器。5.如申请专利范围第2项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,其中所述之该第一检验线与该第二检验线系于该取出口范围内之持取面上为二不相交之直线者。6.如申请专利范围第2项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,其中所述之该二直线检验线于该预定之平面持取位置上系为不相交之二直线者。7.如申请专利范围第1项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,又包括一警示系统,该警示系统于该平面检测单元检测到一非位于该预定之平面持取位置之晶片时,产生一警示讯号。8.一种晶片储存组合之晶片取出感测装置,系运用于具有一晶片取出口之晶片储存组合上,该晶片储存组合又包括一晶片取出口、以及设于该取出口上之一第一发射器与一相对应之第一接收器,该第一发射器与该第一接受器系用以产生一第一检测线、用以检视该取出口上之晶片位置,其特征在:于该取出口处又设置一感应器组合,以与该第一发射器与该第一接收器构成一晶片平面检测组合,用以检测晶片于该取出口上之位置是否符合预定之平面持取位置。9.如申请专利范围第8项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,其中所述之该感应器组合系用以产生一位于该预定之平面持取位置上、且与该第一检测线不相交之第二检测线。10.如申请专利范围第8项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,其中所述之该感应器组合系包括一发射器与一接收器。11.如申请专利范围第1项所述之晶片储存组合之晶片取出感测装置,又包括一警示系统,该警示系统于该平面检测单元检测到一非位于该预定之平面持取位置之晶片时,产生一警示讯号。图式简单说明:第一图系为习知晶片储存组合之剖面示意图。第二图系为习知晶片储存组合之晶片取出感应器组合设置之平面示意图。第三图系为习知晶片储存组合之晶片取出感应器组合感觉一倾斜晶片之剖面示意图。第四图系为本创作晶片储存组合之晶片取出感应器组合设置之平面示意图。第五图系为本创作晶片储存组合之晶片取出感应器组合感测一倾斜晶片之剖面示意图。
地址 新竹科学工业园区力行路十九号