| 主权项 |
1.一种用以将一波长多工之光信号(25)解多工之装置,包含至少集中于各预定波长(1,2)之一第一及第二光波长频道,其特征为一MMI耦合器(2),其尺寸至少为2x2,用以在输入(3)输入波长多工之光信号,及用以分离此多工之信号为数个成份,及将其在数个埠(13-21)成像,麦克森(Michelson)波导管(27-31),用以在MMI耦合器之各埠接收及运送成像之各成份,反射装置(33-41),用以反射在Michelson波导管接收及传送各成份回到MMI耦合器之各埠,其中MMI耦合器之安排系用以输入反射成份,及Michelson波导管之各长度可适应于该MMI耦合器将各成份结合,俾第一及第二光波长频道在MMI耦合器之不同输出(5-11)成像。2.如申请专利范围第1项之装置,其中Michelson波导管之长度各为不同,其间之长度差之决定与频道间波长距离(2-1)有关。3.如申请专利范围第1或2项之装置,其中装置包含相位调整装置(51-57),用以将收到及传送于Michelson波导管(27-31)至少某些成份作相位调整。4.如申请专利范围第3项之装置,其中之相位调整机构(51-57)系由用以永久微调在Michelson波导管接收及传送之至少某些成份之相位之修整元件所组成。5.如申请专利范围第3项之装置,其中之相位调整(51-57)系由相位控制元件,特别是光热相位控制元件所组成,用以在Michelson波导管中接收及传送之至少某些成份之相位控制。6.如申请专利范围第1项之装置,其中,其包含相位控制元件(51-57),特别是光电相位控制元件,用以控制在Michelson波导管接收及传送至少某些成份之相位,以达成在输出之波长频道之选择性切换。7.如申请专利范围第1项之装置,其中反射机构(33-41)由布拉格(Bragg)光栅组成。8.如申请专利范围第7项之装置,其中之Bragg光栅备有所谓线性调频脉冲(chirp)。9.如申请专利范围第8项之装置,其中Bragg光栅之光栅期间=(z),由下式表之(z)=1+c1z+c2z2+c3z3+...,其中c1,c2及c3为常数。z为光传播方向中之距离。10.一种用以将一集中于各预定波长(1,2 )之多工的装置,其特征为一MMI耦合器(2),其尺寸至少为2x2,用以在各输入(5-11)输入第一及第二光波长频道,及将该频道分离为数个成份,及在数埠(13-21)将彼等成像,麦克森(Michelson)波导管(27-31),用以接收及运送在MMI耦合器成像之各成份,反射装置(33-41),用以反射在Michelson波导管中接收及传送各成份回MMI耦合器之各埠,其中MMI耦合器之安排系用以输入反射成份,及Michelson波导管之各长度可以调适,俾该MMI耦合器将各成份结合,以使含第一及第二光波长频道之波长多工光信号在单一输出(3)成像。11.一种用以供光学增加/去除多工之装置,其特征为一种用以将一波长多工之光信号(25)解多工的装置,包含至少集中于各预定波长(1,2)之第一及第二波长频道,其特征为一MMI耦合器(2),其尺寸至少为2x2,用以在输入(3)输入波长多工之光信号,及用以分离此多工之信号为数个成分,及将其在数个埠(13-21)成像,麦克森(Michelson)波导管(27-31),用以在MMI耦合器之各埠接收及运送成像之各成分,反射装置(33-41),用以反射在Michelson波导管接收及传送各成分回到MMI耦合器之各埠,其中MMI耦合器之安排系用以输入反射成分,及Michelson波导管之各长度可适应于该MMI耦合器将各成分结合,俾第一及第二光波长频道在MMI耦合器之不同输出(5-11)成像,及根据申请专利范围第10项之多工的装置(61)。12.如申请专利范围第11项之装置,其中,其包含一输入波导管(23),用以输入一光多工之信号至解多工器(1),至少一渡越波导管(43,45,47)用以自解多工器(1)输出一解多工频道,及在多工器(61)转移及输入同一频道,至少一波导管(49)用以自解多工器输出另一解多工频道,供去除之用(去除功能),至少一波导管(63)用以输入另一波道至多工器(61)(增加功能),及一输出波导管(65)用以输出一光多工信号,该光多工信号包含在渡越波导管中发射之解多工频道,及另一信号输入至多工器。13.如申请专利范围第11或12项之装置,其中解多工器(1)及多工器(61)备有主动相位控制元件,由其使装置展现波长选择可调谐性。14.一种用以将一波长多工之光信号(25)解多工之方法,该方法包含集中于各预定之波长(1,2)之至少一第一及第二光波长频道,其特征为下列步骤:在至少尺寸为2x2之MMI耦合器(2)之输入(3)处输入波长多工光信号,及将信号分离为数成份,并将彼等在数埠(13-21)成像,接收及运送在麦克森(Michelson)波导管(27-31)中上MMI耦合器之各埠成像之各成份,将在Michelson波导管中接收及传送之成份反射回至距MMI耦合器适当距离的MMI耦合器之各埠,及于MMI耦合器中输入及结合反射之成份,其中第一及第二光波长频道实际上在不同之输出(5-11)成像。图式简单说明:图1说明根据本发明之一具体实例供解多工一波长多工之光信号之装置。图2说明图1装置中供不同信号成份强度分配及相位关系之一例。图3说明图1装置中所含之作为被选之反射机构之线性调频布拉格光栅。图4说明本发明另一具体实例供光增加/去除多工之装置。 |
