发明名称 一种具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构
摘要 本发明提供一种具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其特征在于该结构中之记录层系一种InxSbyTez材料,其中变数x之数值范围为5.1~35.0(at%),变数y之数值范围为57.5~71.7(at %),变数z之数值范围为7.5~23.2(at %)。此种材料具备有高反射率对比值、明显之部分结晶效应、相变化速率快、及记录迹边缘控制容易等优点,因此极适用于多阶反射率光碟片(Multi-LevelRecording)技术中,藉以得到多阶的反射率,而增加记录密度,进一步提升记录媒体的储存容量。
申请公布号 TWI220521 申请公布日期 2004.08.21
申请号 TW091138182 申请日期 2002.12.31
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 方敦盈;曾美榕;邓明人;蔡松雨
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人
主权项 1.一种具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其至少系由一基板、一隔绝层、一记录层、一保热层及一反射层所组成,且系利用雷射穿过一光学透镜所产生的雷射光束照射该记录层以记录或读取资讯之光记录媒体,其特征在于:该记录层系InxSbyTez材料,其中变数x之数値范围为5.1~35.0(at%),而变数y之数値范围为57.5~71.7(at%),而变数z之数値范围为7.5 ~ 23.2(at%)。2.如申请专利范围第1项所述之具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其中该基板系PC(Polycarbonate)、或PVC、或PMMA(Poly Methyl Methacrylate)材料,其厚度为0.6mm或1.2mm,且其轨沟之深度范围为30~60(nm),而该轨沟之宽度范围为0.25~0.74(mm)。3.如申请专利范围第1项所述之具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其中该隔绝层系Al2O3、或AlN、或成分比例为8:2的ZnS-SiO2材料,其厚度范围为70~120(nm)。4.如申请专利范围第1项所述之具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其中该记录层之厚度范围为10~30(nm)。5.如申请专利范围第1项所述之具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其中该保热层系Al2O3、或AlN、或成分比例为8:2的ZnS-SiO2材料,其厚度范围系10~20(nm)。6.如申请专利范围第1项所述之具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其中该反射层系金、或银、或铜、或铝、或其他合金材料,其厚度范围系80~120(nm)。7.如申请专利范围第1项所述之具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其中该雷射之波长范围为600~780(nm)。8.如申请专利范围第1项所述之具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其中该光学透镜之数値孔径范围为0.55~0.70。9.如申请专利范围第1项所述之具有多阶反射率的可覆写相变化型光记录媒体结构,其中该InxSbyTez材料系藉由共溅镀的方式对In50Sb50材料及Sb70Te30材料进行制备所产生。图式简单说明:图1系本发明之可覆写相变化型光记录媒体的结构图;图2系本发明之第一具体实施例的测试结果;图3系本发明之第二具体实施例的测试结果。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号