发明名称 外延生长层制造方法(二) A METHOD OF FABRICATING AN EPITAXIALLY GROWN LAYER
摘要 本发明系关于一种制造外延生长层(6)的方法、一种外延支撑(9,9’)及其制造方法。本方法明显的是它包含以下步骤,其系包含:a)将原子种类植入于一支撑基板(1)内,以定义弱区于其中,该弱区将一薄支撑层(13)与该基板的剩下部分(11)分开;b)将薄核化层(23)转移到该薄层(13);c)沿着该弱区来分开该剩下部分(11),但却仍同时使薄支撑层(13)继续接触该剩下部分(11);d)藉由在该核化层(23)上外延来生长该外延生长层(6);e)将剩下部分(11)自薄支撑层(13)移除。应用到光学、光电或电子领域。
申请公布号 TW200516180 申请公布日期 2005.05.16
申请号 TW093122174 申请日期 2004.07.23
申请人 斯欧埃技术公司 发明人 李特斯;法布鲁
分类号 C30B25/04 主分类号 C30B25/04
代理机构 代理人 黄庆源
主权项
地址 法国
您可能感兴趣的专利