| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH INCREASED CHANNEL MOBILITY AND DRY CHEMISTRY PROCESSES FOR FABRICATION THEREOF |
| 摘要 |
채널 이동도가 증가한 반도체 소자 및 그의 제조 방법의 실시형태가 개시된다. 한 실시형태에서, 반도체 소자는 채널 영역을 포함하는 기판, 및 채널 영역 위의 기판 상의 게이트 스택을 포함한다. 게이트 스택은 알칼리 토금속을 포함한다. 한 실시형태에서, 알칼리 토금속은 바륨(Ba)이다. 다른 실시형태에서, 알칼리 토금속은 스트론튬(Sr)이다. 알칼리 토금속은 반도체 소자의 채널 이동도의 상당한 개선을 초래한다. |
| 申请公布号 |
KR101660142(B1) |
申请公布日期 |
2016.09.26 |
| 申请号 |
KR20147015854 |
申请日期 |
2012.06.26 |
| 申请人 |
크리, 인코포레이티드 |
发明人 |
다르, 사리트;청, 린;류, 세 형;아가르왈, 아난트, 쿠마르;팔무르, 존, 윌리암스;마키, 에릭;거개너스, 제이슨;리히텐왈너, 다니엘, 제너 |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/314;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/16;H01L29/51 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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