| 摘要 |
Un transistor a effet de champ vertical (10) comprend une couche active faiblement dopee, a espace de bandes relativement larges (18) developpees epitaxialement sur, et accouplees sensiblement de maniere treillagee sur une portion d'un corps a semi-conducteur sous-jacent (13). Une mesa (20) d'un materiau d'espace de bandes plus etroites est developpee epitaxialement et accouplee sensiblement de maniere treillagee sur la couche active. Une electrode de source (22) est formee sur une surface principale de fond (34) de la portion du corps a semi-conducteur, une electrode de drainage (24) est formee sur la partie superieure de la mesa, et une paire de bandes d'electrodes de porte (26) sont formees sur la couche active adjacente aux deux cotes de la mesa. Lorsqu'une tension (VG), negative par rapport au drainage, est appliquee sur les electrodes de porte, les regions d'appauvrissement (28) sous celles-ci s'etendent lateralement dans la couche active jusqu'a ce qu'elles se coupent, retrecissant ainsi le canal et reduisant le debit de courant passant dans le canal s'etendant a partir des electrodes de drainage et de source. Dans un mode de realisation, des zones espacees d'impedance elevee (30) sont sous-jacentes a la couche active et aux mesas, et les espaces entre les zones sont sous-jacents aux bandes de porte. |
