| 主权项 |
1.一种晶片之收容容器,其主要系一实质上收容多个圆形晶片之容器,其特征在于:备有呈对向配置之第1及第2端壁,而在上述第1端壁上形成有基准面,备有呈对向配置,且用于连接上述第1及第2端壁之第1及第2侧壁,备有由上述第1及第2端壁与上述第1及第2侧壁所规画之第1开口,该第1开口具有作为可供上述晶片相对于上述容器内进行插脱的开口的功能,备有由上述第1及第2端壁与上述第1及第2侧壁所规画之第2开口,该第2开口系与上述第1开口呈对向配置,且尺寸较上述第1开口部为小,在上述容器内具有依一定间隔而一个个地支撑上述晶片之多数的槽,该槽具有一对形成在上述两侧壁的内面,且朝上述容器之内侧呈逐渐扩大般地开口之V字状断面的沟,而用于规画各沟之其中一面,当配置上述容器而使上述基准面位于水平面上时,具有可作为将各晶片实质上配置成水平状态之保持面的功能,又上述保持面具有朝上述第2开口之中心呈收敛之收敛部,备有可与被收容在各槽之各晶片之侧部抵接的抵接部,而上述抵接部系被配置在各保持面之各收敛部上,且限制各晶片之位置,而各晶片被载置在各保持面之相同高度的部分。2.如申请专利范围第1项之晶片之收容容器,上述第1及第2侧壁备有朝上述第2开口之中心呈收敛之收敛部,而上述保持面之上述收敛部系被形成在上述收敛壁之内面。3.如申请专利范围第2项之晶片之收容容器,上述抵接面系由一与上述容器之侧壁呈独立设置,而被配设在上述收敛部上之填充体之内面所构成。4.如申请专利范围第2项之晶片之收容容器,上述抵接面系由上述容器之侧壁之内面的一部分所构成。5.一种晶片之收容容器,其主要系一实质上收容多个圆形晶片之容器,其特征在于:备有呈对向配置之第1及第2端壁,而在上述第1端壁上形成有基准面,备有呈对向配置,且用于连接上述第1及第2端壁之第1及第2侧壁,备有由上述第1及第2端壁与上述第1及第2侧壁所规画之第1开口,该第1开口具有作为可供上述晶片相对于上述容器内进行插脱的开口的功能,备有由上述第1及第2端壁与上述第1及第2端壁所规画之第2开口,该第2开口系与上述第1开口呈对向配置,且尺寸较上述第1开口部为小,在上述容器内具有依一定间隔而一个个地支撑上述晶片之多数的槽,该槽具有一对形成在上述两侧壁的内面,且朝上述容器之内侧呈逐渐扩大般地开口之V字状断面的沟,而用于规画各沟之其中一面,当配置上述容器而使上述基准面位于水平面上时,具有可作为将各晶片实质上配置成水平状态之保持面的功能,又上述保持面具有朝上述第2开口之中心收敛之收敛部,备有被配设在各保持面上之上昇体,而该上昇体具有可与被收容在各槽之各晶片的下面接触,且与上述基准面呈平行之上面,此外上述上昇体亦备有可挟着被收容在各槽之各晶片的重心,而位于上述第1及第2开口侧之第1及第2部分。6.如申请专利范围第5项之晶片之收容容器,上述第1及第2侧壁备有朝上述第2开口之中心呈收敛的收敛部,而上述保持面之上述收敛部系被形成在上述收敛壁的内面。7.如申请专利范围第6项之晶片之收容容器,上述上昇体之面向上述容器之内侧的侧面系被形成为斜面。8.如申请专利范围第7项之晶片之收容容器,上述上昇体之上述第1及第2部分系被连续地形成。9.如申请专利范围第7项之晶片之收容容器,上述上昇体之上述第1及第2部分系被分离形成。10.一种晶片之收容容器,其主要系一实质上收容多个圆形晶片之容器,其特征在于:备有呈对向配置之第1及第2端壁,而在上述第1端壁上形成有基准面,备有呈对向配置,且用于连接上述第1及第2端壁之第1及第2侧壁,备有由上述第1及第2端壁与上述第1及第2侧壁所规画之第1开口,该第1开口具有作为可供上述晶片相对于上述容器内进行插脱的开口的功能,备有由上述第1及第2端壁与上述第1及第2侧壁所规画之第2开口,该第2开口系与上述第1开口呈对向配置,且尺寸较上述第1开口部为小,在上述容器内具有依一定间隔而一个个地支撑上述晶片之多数的槽,该槽具有一对形成在上述两侧壁的内面,且朝上述容器之内侧呈逐渐扩大般地开口之断面呈V字状的沟,而用于规画各沟之其中一面,当配置上述容器而使上述基准面位于水平面上时,具有可作为将各晶片实质上配置成水平状态之保持面的功能,又上述保持面具有朝上述第2开口之中心呈收敛之收敛部,而上述保持面备有朝上述第2开口之中心收敛之收敛部,又上述基准面与面对于水平面之上述保持面所成之角度约为1-3,而与相对于上述保持面呈对向之上述沟之另一面所成之角度则约为9-15。11.如申请专利范围第10项之晶片之收容容器,上述第1及第2侧壁备有朝上述第2开口之中心呈收敛之收敛壁,而上述保持面之上述收敛部系被形成在上述收敛壁的内面。12.一种可将实质上被收容在容器内之多个圆形晶片同时整齐排列之装置,而上述容器备有呈对向配置之第1及第2端壁,而在上述第1端壁上形成有第1基准面,备有呈对向配置,且用于连接上述第1及第2端壁之第1及第2侧壁,备有由上述第1及第2端壁与上述第1及第2侧壁所规画之第1开口,该第1开口具有作为可供上述晶片相对于上述容器内进行插脱的开口的功能,备有由上述第1及第2端壁与上述第1及第2侧壁所规画之第2开口,该第2开口系与上述第1开口呈对向配置,且尺寸较上述第1开口部为小,备有挟持上述第2开口被配设之框体,而在上述框体之端面形成有第2基准面,在上述容器内具有依一定间隔而一个个地支撑上述晶片之多数的槽,该槽具有一对形成在上述两侧壁的内面,且朝上述容器之内侧呈逐渐扩大般地开口之V字状断面的沟,而用于规画各沟之其中一面,当配置上述容器而使上述第1基准面位于水平面上时,具有可作为将各晶片实质上配置成水平状态之保持面的功能,又上述保持面具有朝上述第2开口之中心呈收敛之收敛部,上述装置备有:可与上述第2基准面接触,而如位于水平面上般地载置上述容器之第1板及;相对于上述第1板呈直角配设之第2板,当上述容器被载置在上述第1板上时,上述第2板系面对于上述第1基准面,可使上述第1及第2板实质上一体地旋转90,而自上述容器被载置在上述第1板上之状态转换成被载置在上述第2板,且上述第1基准面位于水平面上之状态的姿势转换机构及;可自上述第2开口侵入上述容器内而抵接在上述晶片之侧部,且同时令多个上述之晶片移动到上述第1开口侧之限制机构,而上述限制机构系在1水平面内与多个上述晶片之侧部接触。13.如申请专利范围第12项之装置,上述限制机构,在上述容器藉上述第1板被支持之状态下,可自上述第2开口侵入上述容器内。14.如申请专利范围第13项之装置,上述姿势转换机构,上述姿势转换机构会令上述限制机构与上述第1及第2板实质上一体地旋转90。15.如申请专利范围第14项之装置,在上述第1板上配置有用于决定上述容器之位置的导件。16.如申请专利范围第15项之装置,上述限制机构备有一对具有可抵接于上述晶片之侧壁之端面的限制构件。17.如申请专利范围第16项之装置,更备有可使上述限制构件相对于上述晶片接近或离开驱动之机构。18.如申请专利范围第16项之装置,上述限制机构相对于上述第1板系被固定。19.如申请专利范围第16项之装置,在上述一对之限制构件之间形成有通路,当上述容器被载置在上述第1板上时,经过上述通路而可计测上述晶片之个数之计数器会对晶片进行计数。20.如申请专利范围第12项之装置,上述限制机构,在上述第1基准面位于水平面上之状态后,可自上述第2开口侵入上述容器内。图1系表习知之晶片收容容器的立体图。图2系表图1所示之容器之侧壁内面之部分立体图。图3系表将晶片放入图1所示之容器内之状态的平面图。图4A及图4B分别系表沿着图3之IV A-IV A线以及IV B-IV B线的断面图。图5A及图5B系表将晶片放图1所示之容器内之状态的纵断侧面图。图6A及图6B系表将晶片相对于图1所示之容器搬出搬入之状态图。图7系表本发明之晶片收容容器的立体图。图8系表图7所示容器之侧壁内面的部分立体图。图9A系表图7所示容器之侧壁之详细构造的断面图。图9B系表图7所示容器之侧壁之变更例之详细构造的断面图。图10系表第1实施例之容器之槽的横断平面图。图11系表将容器放入第1实施例之容器内之状态的平面图。图12A及图12B分别系表沿着图11之XII A-XII A线以及XII B-XII B线的断面图。图13系表将容器放入第2实施例之容器内之状态的平面图。图14A及图14B分别系表图13之XIV A-XVI A线以及XIV B-XIV B线的断面图。图15系表将晶片放入第3实施例之状态的平面图。图16A及图16B分别系表沿着图15之XVI A-XVI A线及XVI B-XVI B线的断面图。图17A系表被配设在图15所示之容器之沟内之上昇(raising)体的断面图。图17B系表上昇体之变更例的断面图。图18系表将第4实施例之容器之沟加以部分扩大断面图。图19系表组入有本发明之晶片整列装置之热处理系统的概略图。图20系表藉图19所示之系统之搬送臂来载送晶片之概略图。图21系表图19所示之系统之姿势转换部的立体图。图22系表图19所示之系统之晶片整列装置以及计数器之断面图。图23A及图23B系表晶片整列装置之变更实施例。图24系表晶片整列装置之其他之变更实施 |
