| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,主要系,在具有配置在绝缘性基板上的闸电极,在前述闸电极上至少有隔着闸极绝缘膜及半导体膜叠层的源电极及吸电极之薄膜电晶体,其特征为,从前述闸电极的轮廓线和前述吸电极之轮廓线的任意交点至前述闸电极之轮廓线和前述源电极的轮廓线之交点的最短间隔中至少1个间隔,比前述闸电极之轮廓线中与前述吸电极重复部份和前述源电极重复部份之最短间隔大者。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,前述半导体膜为矽化物半导体膜者。3.如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体,其中,前述矽化物半导体膜的膜厚度为100埃以上,500埃以下者。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,在前述半导体膜上配置有决定前述薄膜电晶体的通道长度之通道保护膜者。5.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体,其中,前述通道保护膜,系在前述闸电极和前述源电极及前述吸电极的重复领域与前述闸电极之轮廓线略相等或较小者。6.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体,其中,前述通道保护膜,将和前述闸电极自我整合地形成者。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,从前述闸电极的轮廓线和前述吸电极之轮廓线的任意交点至前述闸电极之轮廓线和前述吸电极的轮廓线之交点的最短间隔为20微米以上者。8.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体,其中,从前述闸电极的轮廓线和前述吸电极之轮廓线的任意交点至前述闸电极之轮廓线和前述吸电极的轮廓线之交点的最短间隔为26微米以上者。9.一种薄膜电晶体,主要系,在具有配置在绝缘性基板上的闸电极,在前述闸电极上至少隔着闸绝缘膜及半导体膜叠层之源电极及吸电极而形成所定的通道长所成之薄膜电晶体,其特征为,前述闸电极,系具有在和前述通道长略平行方向比前述通道长度更长的闸长度之闸领域。和至少从前述闸领域向与前述闸长略平行方向延长,一部份重复在前述吸电极的吸极侧延长领域,和从前述闸领域向与前述闸长略平行方向延长,一部份重复在前述源电极的源极侧延长领域所选择之任何一方者。10.一种显示装置,主要系,在具有配置在第1绝缘性基板上的扫描线及信号线,和经由薄膜电晶体连接在前述扫描线及前述信号线的像素电极之第1电极基板,和在第2绝缘性基板上具有对向电极之第2电极基板,和保持在前述第1电极基板与前述第2电极基板之间的光调变层之显示装置,其特征为,前述薄膜电晶体,系具有在电性连接在前述扫描线的闸电极上隔着闸绝缘膜配置之半导体膜,将该半导体膜和前述信号线电性连接的吸电极,把前述半导体膜和前述像素电极电性连接之源电极,从前述闸电极的轮廓线和前述吸电极之轮廓线的任意交点至前述闸电极之轮廓线和前述源电极的轮廓线之交点的最短间隔中至少1个间隔,系比前述闸电极的轮廓线之中与前述吸电极重复部份和与前述源电极重复部份的最短间隔大者。11.如申请专利范围第10项所述之显示装置,其中,前述光调变层系以液晶材料做为主体者。12.一种薄膜电晶体,主要系,在具有配置在绝缘性基板上的闸电极,在前述闸电极上隔着闸绝缘膜配置之半导体膜,配置在前述半导体膜上决定通道长的通道保护膜,电性连接在前述半导体膜之源电极及吸电极的薄膜电晶体,其特征为,前述通道保护膜在和前述半导体膜叠层之领域系和前述闸电极的轮廓线略相等或较小,而且,从前述通道保护膜之轮廓线和前述吸电极的轮廓线之任意交点至前述通道保护膜的轮廓线和前述源电极之轮廓线的交点之最短间隔中至少1个间隔,比前述通道保护膜的轮廓线中与前述吸电极重复部份和与前述源电极重复部份之最短间隔大者。13.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体,其中,前述通道保护膜和前述源电极重复部份或前述通道保护膜和前述吸电极重复部份的任何一方之通道长方向之长度为1微米以上者。14.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体,其中,前述通道保护膜和前述源电极重复部份或前述通道保护膜和前述吸电极重复部份的任何一方之通道长方向的长度为3微米以上者。15.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体,其中,前述通道保护膜,系和前述闸电极自我整合地形成者。16.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体,其中,前述半导体膜为矽化物半导体膜者。17.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体,其中,前述矽化物半导体膜的膜厚为100埃以上,500埃以下者。18.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体,其中,从前述闸电极的轮廓线和前述吸电极之轮廓线的任意交点至前述闸电极之轮廓线和前述源电极的轮廓线之交点的最短间隔为20微米以上者。19.如申请专利范围第18项所述之薄膜电晶体,其中,从前述闸电极的轮廓线和前述吸电极之轮廓线的任意交点至前述闸电极之轮廓线和前述源电极的轮廓线交点之最短间隔为26微米以上者。20.一种薄膜电晶体,主要系,在具有配置在绝缘性基板上的闸电极,在前述闸电极上隔着闸绝缘膜配置之半导体膜,配置在前述半导体膜上的通道保护膜,电性地连接在前述半导体膜之源电极及吸电极者,其特征为,前述通道保护膜具有决定通道长的通道长决定领域,和至少从前述通道长决定领域向和前述通道长略平行方向延长,在和前述吸电极重 |
