半导体基体及装置

摘要

本发明提出一种半导体基体及半导体雷射，该半导体雷射使用半导体基体，该基体有平坦及光学性能佳的切割表面，适合制造使用氮系三－五族化合物半导体的半导体雷射。利用半导体基体，如氮化镓基体，其主表面大体垂直于｛０００１｝－向位面，如｛０１－１０｝一向位面或｛１１－２０｝一向位面，或偏离土５度角内的面，氮系三－五族化合物半导体层以磊晶方式生长于基体上以形成雷射结构。为制造腔部边缘，氮化镓基体与其上方的氮系三－五族化合物半导体层沿着高可切割性的｛０００１｝－向位面一起被切割。

主权项

1.一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且其主表面大体垂直于{0001}-向位面。2.如申请专利范围第1项的半导体基体,其中,该主表面为{01-10}-向位。3.如申请专利范围第1项的半导体基体,其中,该主表面从{01-10}-向位面偏离。4.如申请专利范围第1项的半导体基体,其中,该主表面为{11-20}-向位。5.如申请专利范围第1项的半导体基体,其中,该主表面从{11-20}-向位面偏离。6.一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且具有{01-10}-向位的主表面。7.一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且具有从{01-10}-向位面偏离的主表面。8.一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且具有{11-20}-向位的主表面。9.一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且具有从{11-20}-向位面偏离的主表面。10.一种半导体装置包含:一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且具有大体垂直于{0001}-向位面的主表面;及氮系三-五族化合物半导体层位于该半导体基体上。11.如申请专利范围第10项的半导体装置,其中,该半导体基体的主表面为{01-10}-向位。12.如申请专利范围第10项的半导体装置,其中,该半导体基体的主表面从{01-10}-向位面偏离。13.如申请专利范围第10项的半导体装置,其中,该半导体基体的该主表面为{11-20}-向位。14.如申请专利范围第10项的半导体装置,其中,该半导体基体的该主表面从{11-20}-向位面偏离。15.如申请专利范围第10项的半导体装置,其中,该半导体装置为半导体雷射,其中,该氮系三-五族化合物半导体层包含第一导电形态的覆层及第二导电形态的覆层,该半导体雷射具有{0001}-向位面,其界定由该氮系三-五族化合物半导体层之腔部边缘相同的氮系三-五族化合物半导体层。16.一种半导体装置包含:一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体所制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且具有{01-10}-向位的主表面;及氮系三-五族化合物半导体层位于该半导体基体上。17.一种半导体装置包含:一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体所制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且其主表面从{01-10}-向位面偏离;及氮系三-五族化合物半导体层位于该半导体基体上。18.一种半导体装置包含:一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体所制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且具有{11-20}-向位的主表面;及氮系三-五族化合物半导体层位于该半导体基体上。19.一种半导体装置包含:一种半导体基体,由氮系三-五族化合物半导体所制成,该半导体具有六方结构的晶体结构,且其主表面从{11-20}-向位面偏离;及氮系三-五族化合物半导体层位于该半导体基体上。图式简单说明:第一图为依照本发明之第一实施例的氮化镓半导体雷射的透视图;第二图为透视图,用来解释依照本发明第一实施例之氮化镓半导体雷射的制造方法;第三图为透视图,用来解释依照本发明第一实施例之氮化镓半导体雷射的制造方法;及第四图为依照本发明之第二实施例的氮化镓半导体雷射的透视图。