| 主权项 |
1.在分离闸极式快闪记忆体之漂浮闸极下方周围形成间隙壁的方法,包括下列步骤:(a)在半导体基底上形成一具有逐渐变细的开口之遮蔽层,并且该开口暴露出该半导体基底表面;(b)在上述开口的侧壁形成一氧化层,以当作隧穿氧化层;(c)在已形成氧化层的开口内填入一掺杂复晶矽物;(d)利用热氧化法在上述掺杂复晶矽物的上方形成复晶矽氧化物,而留下当作漂浮闸极的掺杂复晶矽物;以及(e)乾蚀刻该遮蔽层,用以在上述漂浮闸极周围留下一间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中该半导体基底为矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中该遮蔽层系底部具有垫氧化层的氮化矽层。4.如申请专利范围第3项所述之形成间隙壁的方法,其中该垫氧化层的厚度介于180~220埃之间。5.如申请专利范围第3项所述之形成间隙壁的方法,其中该氮化矽层的厚度介于1000~2000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中步骤(b)之氧化层系利用高温化学气相沈积法形成。7.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中步骤(b)之氧化层系利用热氧化法在暴露出的半导体基底表面形成一薄氧化层,然后再利用高温化学气相沈积法形成高温氧化层所构成。8.如申请专利范围第1项所述之形成间隙壁的方法,其中形成该掺杂复晶矽物的步骤为,全面性形成一填入该开口的掺杂复晶矽层,然后利用化学机械研磨法去除填入该开口以外的掺杂复晶矽层以留下填入上述开口的掺杂复晶矽物。9.一种在分离闸极式快闪记忆体之漂浮闸极下方周围形成间隙壁的方法,包括下列步骤:(a)在半导体基底上依序形成一垫氧化层以及氮化矽层;(b)选择性蚀刻该氮化矽层,直到露出上述垫氧化层为止,以形成一往基底表面方向逐渐变细的开口;(c)去除上述开口所暴露出的垫氧化层;(d)施以高温化学气相沈积法以形成一薄氧化层;(e)全面性形成一填入该开口的掺杂复晶矽层;(f)利用化学机械研磨法去除填入该开口以外的掺杂复晶矽层,并且去除该氮化矽层上方的薄氧化层;(g)施以热氧化步骤,用以使上述开口之上部的掺杂复晶矽反应而形成复晶矽氧化物,并留下当作漂浮闸极的掺杂复晶矽;以及(h)乾蚀刻该氮化矽层,用以在上述漂浮闸极周围形成氮化矽间隙壁。10.如申请专利范围第9项所述之形成间隙壁的方法,其中该垫氧化层的厚度介于180~220埃之间。11.如申请专利范围第9项所述之形成间隙壁的方法,其中该氮化矽层的厚度介于1000~2000埃之间。 |
