动态随机存取记忆体及其制造方法

摘要

本发明系关于一种动态随机存取记忆体及其制造方法。本发明之动态随机存取记忆体制造过程使用氧化物间隙壁作为电容器接触窗蚀刻的硬罩幕，只需要一道光罩即可，减少制程步骤与节省成本，并能得到较小的电容器接触窗尺寸;另外，由于电容器接触窗中心与大小系由该氧化物间隙壁所决定，因此与电容器为一同轴结构，且只使用一道光罩微影制程，可有效解决知电容器接触窗与电容器的叠对误差。再者，于动态随机存取记忆体中，电容器结构的尺寸不断缩小，必须在有限的面积与空间下争取足够的电容值，本发明提出一动态随机存取记忆体，其中电容器接触窗插塞的顶端突出电容器下电极底部平面，可以有效提高电容面积，进而增加电容值。

主权项

1.一种制造动态随机存取记忆体的方法,其应用于包含有多数设于半导体基材上之电晶体,以及多数堆叠于各对应电晶体上且各具有上电极与下电极之电容器,且各该电晶体与各该电容器藉由一填充于电容器接触窗的物质而相导通的记忆体制造中;其特征在于形成电晶体以及其上之沉积层后,备置各该电容器下电极与各该电容器接触窗时,包含以下步骤:蚀刻该沉积层并形成一凹槽结构;沉积一多晶矽于该凹槽结构上,而形成一凹形电容器下电极;沈积一氧化物于该电容器下电极之上且回蚀刻,以形成一氧化物间隙壁于该电容器下电极之内侧壁;以该氧化物间隙壁作为硬罩幕,蚀刻出电容器接触窗;以及去除该氧化物间隙壁。2.如申请专利范围第1项之方法,其中于蚀刻出电容器接触窗后,更包含下列步骤:沉积多晶矽,以覆盖该电容器接触窗与该氧化物间隙壁;以及去除该下电极上方之多晶矽,达该氧化物间隙壁得以在后续步骤中被去除之程度。3.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积一氧化物且回蚀刻以形成氧化物间隙壁于该电容器下电极之内侧壁时,该氧化物间隙壁系对称于该电容器下电极之内侧壁,致使该氧化物间隙壁于该电容器下电极内侧壁的对称部分厚度相等。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该氧化物间隙壁厚度足以保护该电容器下电极,使得该电容器下电极不至于受到蚀刻出电容器接触窗时的侵蚀破坏。5.一种动态随机存取记忆体,其包含多数位于半导体基材上之电晶体,以及多数各具上电极与下电极且位于该电晶体上之电容器,以及多数各连接各该电晶体与各该电容器之电容器接触插塞;其特征在于该下电极包含:一第一部份,其呈一具有与该电容器接触插塞相接触之底面部与位于该底面部周围之侧面部的凹形结构;以及一第二部分,其自该底面部向上突出,且位于该电容器接触插塞正上方。图式简单说明:第一图显示习知动态随机存取记忆体中电容器以及电容器接触窗结构。第二图a-第二图d显示本发明之动态随机存取记忆体之制造方法实施步骤。其中,第二图a显示涂布一层光阻并予以蚀刻图形。第二图b显示沈积多晶矽并制造氧化物间隙壁。第二图c显示蚀刻电容器接触窗,并由氧化物间隙壁屏障保护多晶矽,接着沈积多晶矽。第二图d显示蚀刻多晶矽及氧化物间隙壁。