| 摘要 |
<p>In einem ferroelektrischen Transistor, der in einem Halbleitersubstrat (11) zwei Source-/Drain-Gebiete (13) und einen dazwischen angeordneten Kanalbereich aufweist, ist an der Oberfläche des Kanalbereichs eine erste dielektrische Zwischenschicht (14) angeordnet, die Al2O3 enthält. Oberhalb der ersten dielektrischen Zwischenschicht (14) sind eine ferroelektrische Schicht (15) und eine Gateelektrode (16) angeordnet. Durch die Verwendung von Al2O3 in der ersten dielektrischen Zwischenschicht wird ein Tunneln von Kompensationsladungen aus dem Kanalbereich in die erste dielektrische Schicht (14) unterdrückt und die Zeit für die Datenhaltung dadurch verbessert.</p> |
