提高硅化物热稳定性的方法

摘要

一种提高硅化物热稳定性的方法。它首先提供一半导体底材;在第一与第二多晶硅闸极的一顶端表面、第一与第二间隙壁的一顶端表面和半导体底材的一顶端表面上平坦而均匀地形成内介电层;回蚀刻部分内介电层,以离子植入法植入氮离子。在第一多晶硅闸极顶端表面与第一间隙壁的曝出部分与内介电层的一个第一半部分上形成光阻;蚀刻内介电层的一个第二半部分除去光阻;在第一与第二闸极的顶端表面与未遮盖的半导体底材上形成硅化物区域。

主权项

1.一种提高硅化物热稳定性的方法，它至少包含：提供一个半导体底材，该半导体底材上具有一个金氧半导体元件；全面与共形地在一个第一闸极与一个第二闸极的一顶端表面上和一个第一间隙壁与一个第二间隙壁的一顶端表面上和该半导体底材的一顶端表面上，形成一个内介电层；回蚀刻部分的内介电层，直到曝出所述第一闸极与第二闸极的所述顶端表面和部分的第一间隙壁与部分的第二间隙壁的所述顶端表面为止；在所述第一闸极与第二闸极的顶端表面和所述第一间隙壁与第二间隙壁的一个曝出部分上，离子植入特定离子；蚀刻所述内介电层的一部分，所述内介电层的该部分未被一光阻遮盖，直到曝出该半导体底材的该顶端表面为止；以及在所述第一闸极与第二闸极的所述顶端表面上与所述未遮盖的半导体底材上形成一个硅化物区域。