| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离后退制程,包括:提供一基底;形成图案化之一罩幕层于该基底上;形成共形之一覆盖层于该基底与该罩幕层上,且使用之气体源包括CH2F2/Ar;去除位在该基底上之该覆盖层;蚀刻暴露出之该基底,以形成一沟渠于该基底中;以及去除该覆盖层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该罩幕层包括以化学气相沈积法所形成之氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该罩幕层包括复层的结构。4.如申请专利范围第3项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该罩幕层包括以化学气相沈积法所形成之氮化矽层与氧化矽层。5.如申请专利范围第4项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该罩幕层之该氧化矽层在该氮化矽层之上。6.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离后退制程,于去除该覆盖层之后,更包括使用HF溶液来等向蚀刻该氧化矽层,以移除该氧化矽层表层之一预定厚度。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该覆盖层包括以化学气相沈积法所形成之聚合物层。8.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中形成该聚合物层之该化学气相沈积法的沈积气体源包括约10-150sccm的CH2F2,反应室压力约为10-20mtorr。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中形成该聚合物层之该化学气相沈积法的沈积气体源更包括以1-200sccm的Ar来稀释之。10.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该化学气相沈积法包括电感耦式电浆化学气相沈积法,其电感耦式电浆之功率约为400-700瓦,电极温度约0-40℃。11.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该覆盖层包括以化学气相沈积法所形成之氧化矽层。12.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该覆盖层的材质和该基底与该罩幕层之表面材质不同。13.一种浅沟渠隔离后退制程,包括:提供一基底;形成图案化之一罩幕层于该基底上;形成一牺牲层于该罩幕层之侧壁上;蚀刻暴露出之该基底,以形成一沟渠于该基底中;以及去除该牺牲层。14.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该牺牲层的材质和该罩幕层与该基底的材质不同。15.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该罩幕层的材质包括以化学气相沈积法所沈积之氮化矽。16.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该牺牲层包括以化学气相沈积法所形成之聚合物层。17.如申请专利范围第16项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中形成该聚合物层之该化学气相沈积法的沈积气体源包括约10-150sccm的CH2F2,压力约为10-20mtorr。18.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中形成该聚合物层之该化学气相沈积法的沈积气体源更包括以1-200sccm的Ar来稀释之。19.如申请专利范围第16项所述之浅沟渠隔离后退制程,其中该化学气相沈积法包括电感耦式电浆化学气相沈积法,其电感耦式电浆之功率约为400-700瓦,电极温度约0-40℃。图式简单说明:第1A-1B图为习知一种浅沟渠隔离之后退制程的流程剖面图;第2A-2B图为习知另一种浅沟渠隔离之后退制程的流程剖面图;第3A-3D图是依照本发明较佳实施例的一种浅沟渠隔离之后退制程的流程剖面图;以及第4A-4D图是依照本发明较佳实施例的另一种浅沟渠隔离之后退制程的流程剖面图。 |
