| 主权项 |
1.一种增进低介电常数材料特性的方法,适用于半导体元件的制程中;该方法包括:提供一基底;涂布一甲基矽酸盐薄膜,于该基底上;进行一烘烤步骤;进行一固化步骤;以及以一N2O电浆对该甲基矽酸盐薄膜进行一表面处理步骤,在该甲基矽酸盐薄膜表面上,形成一保护层。2.如申请专利范围第1项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该烘烤步骤包括:以摄氏180度的温度烘烤2分钟;以及以摄氏250度的温度烘烤1分钟。3.如申请专利范围第1项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该固化步骤包括以摄氏400度的温度加热30分钟。4.如申请专利范围第1项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该表面处理步骤包括以N2O电浆轰击该甲基矽酸盐薄膜。5.如申请专利范围第1项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该保护层包括一具有Si-O键结的材料层。6.如申请专利范围第1项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该保护层包括一具有Si-N键结的材料层。7.如申请专利范围第1项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该保护层包括一具有Si-ON键结的材料层。8.一种增进低介电常数材料特性的方法,适用于一甲基矽酸盐类材料,该方法包括:加热该甲基矽酸盐类材料;以及以一N2O电浆轰击该甲基矽酸盐类材料。9.如申请专利范围第8项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该加热步骤包括一烘烤步骤以及一固化步骤。10.如申请专利范围第9项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该烘烤步骤包括:以摄氏180度的温度烘烤2分钟;以及以摄氏250度的温度烘烤1分钟。11.如申请专利范围第9项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该固化步骤包括以摄氏400度的温度加热30分钟。12.如申请专利范围第8项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,N2O电浆轰击该甲基矽酸盐类材料步骤,于该甲基矽酸盐类材料之表面形成一保护层。13.如申请专利范围第8项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该保护层包括一具有Si-O键结的材料层。14.如申请专利范围第8项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该保护层包括一具有Si-N键结的材料层。15.如申请专利范围第8项所述之增进低介电常数材料特性的方法,其中,该保护层包括一具有Si-ON键结的材料层。图式简单说明:第1A图绘示一种甲基矽酸盐类材料的网状结构示意图;第1B图绘示一种甲基矽酸盐类高分子材料的单体结构示意图;第2图绘示甲基矽酸盐薄膜经过不同时间之氧电浆处理后,薄膜漏电流密度随着电场变化的情形;第3A图至第3C图绘示依照本发明之一较佳实施例增进低介电常数材料之特性的方法的剖面流程图;第4图绘示甲基矽酸盐薄膜的介电常数随着N2O电浆处理时间变化的曲线图;第5图绘示甲基矽酸盐薄膜经过不同时间之N2O电浆处理后,薄膜漏电流密度随着电场变化的情形;以及第6图绘示在氧电浆灰化之前经过9分钟之N2O电浆处理与不经过N2O电浆处理的甲基矽酸盐薄膜的介电常数柱状图。 |
