| 主权项 |
1.一种经卤化之丁基聚合物,其具有改良之熟化及/或老化性质,该丁基聚合物使用触媒系统自包含C4至C8单烯烃单体、C4至C14多烯烃单体及苯乙烯单体而含有之单体混合物所衍生。2.如申请专利范围第1项之经卤化丁基聚合物,其中该C4至C8单烯烃单体系选自异丁烯、2-甲基丙-1-烯、3-甲基丁-1-烯、4-甲基戊-1-烯、2-甲基戊-1-烯、4-乙基丁-1-烯、4-乙基戊-1-烯,及其混合物。3.如申请专利范围第1项之经卤化丁基聚合物,其中该C4至C8单烯烃单体系包含异丁烯。4.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该C4至C14多烯烃单体系选自异戊间二烯、丁-1,3-二烯、2,4-二甲基丁-1,3-二烯、戊间二烯(piperyline)、3-甲基戊-1,3-二烯、己-2,4-二烯、2-新戊基丁-1,3-二烯,2-甲基己-1,5-二烯、2,5-二甲基己-2,4-二烯、2-甲基戊-1,4-二烯、2-甲基庚-1,6-二烯、环戊二烯、甲基环戊二烯、环己二烯、1-乙烯基-环己二烯及其混合物。5.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该C4至C14多烯烃单体系包含异戊间二烯。6.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该苯乙烯单体系选自对-甲基苯乙烯、苯乙烯、-甲基苯乙烯、对-氯苯乙烯、对-甲氧基苯乙烯及其混合物。7.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该苯乙烯单体系选自苯乙烯、对-甲基苯乙烯及其混合物。8.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该单体混合物系包含80重量百分比至99重量百分比之C4至C8单烯烃单体,由0.5重量百分比至5重量百分比之C4至C14多烯烃单体及由0.5重量百分比至15重量百分比之苯乙烯单体。9.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该单体混合物系包含由85重量百分比至99重量百分比之C4至C8单烯烃单体,由0.5重量百分比至5重量百分比之C4至C14多烯烃单体及由0.5重量百分比至10重量百分比之苯乙烯单体。10.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该单体混合物系包含由87重量百分比至94重量百分比之C4至C8单烯烃单体,由1重量百分比至3重量百分比之C4至C14多烯烃单体及由5重量百分比至10重量百分比之苯乙烯单体。11.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该聚合物系经溴化。12.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该聚合物系经氯化。13.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该卤素含量系介于该聚合物之0.1至8重量百分比范围内。14.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤化丁基聚合物,其中该卤素含量系介于该聚合物之0.5至4重量百分比之范围内。15.如申请专利范围第1-3项中任一项之经卤占丁基聚合物,其中该卤素含量系介于该聚合物之1.5至3重量百分比之范围内。16.一种制备具有改良之熟化及/或老化性质之经卤化丁基聚合物的方法,该方法系包括下列步骤:使包含C4至C8单烯烃单体、C4至C14多烯烃单体及苯乙烯单体之单体混合物与触媒系统接触,以制得三聚物;及使该三聚物卤化,而制得经卤化丁基聚合物。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该C4至C8单烯烃单体系选自异丁烯、2-甲基丙-1-烯、3-甲基丁-1-烯、4-甲基戊-1-烯、2-甲基戊-1-烯、4-乙基丁-1-烯、4-乙基戊-1-烯、-蒎烯及其混合物。18.如申请专利范围第1项之方法,其中该C4至C8单烯烃单体系包含异丁烯。19.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该C4至C14多烯烃单体系选自异戊间二烯、丁-1,3-二烯、2,4-二甲基丁-1,3-二烯、戊间二烯、3-甲基戊-1,3-二烯、己-2,4-二烯、2-新戊丁-1,3-二烯、2-甲基己-1,5-二烯、2,5-二甲基己-2,4-二烯、2-甲基戊-1,4-二烯、2-甲基庚-1,6-二烯、环戊二烯、甲基环戊二烯、环己二烯、1-乙烯基-环己二烯及其混合物。20.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该C4至C14多烯烃单体系包含异戊间二烯。21.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该苯乙烯单体系选自对-甲基苯乙烯、苯乙烯、-甲基苯乙烯、对-氯苯乙烯、对-甲氧基苯乙烯及其混合物。22.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该苯乙烯单体系选自苯乙烯、对-甲基苯乙烯及其混合物。23.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该单体混合物系包含80重量百分比至99重量百分比之C4至C8单烯烃单体,由0.5重量百分比至5重量百分比之C4至C14多烯烃单体及由0.5重量百分比至15重量百分比之苯乙烯单体。24.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该单体混合物系包含由85重量百分比至99重量百分比之C4至C8单烯烃单体,由0.5重量百分比至5重量百分比之C4至C14多烯烃单体及由0.5重量百分比至10重量百分比之苯乙烯单体。25.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该单体混合物系包含由87重量百分比至94重量百分比之C4至C8单烯烃单体,由1重量百分比至3重量百分比之C4至C14多烯烃单体及由5重量百分比至10重量百分比之苯乙烯单体。26.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该卤化剂系包含溴。27.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该卤化剂系包含氯。28.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该卤化剂用量系用以使残留卤素含量介于由该聚合物之0.1重量百分比至8重量百分比。29.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该卤化剂用量系用以使残留卤素含量介于由该聚合物之0.5重量百分比至4重量百分比。30.如申请专利范围第16-18项中任一项之方法,其中该卤化剂用量系用以使残留卤素含量介于由该聚合物之1.5重量百分比至3重量百分比。图式简单说明:图1及2系说明本发明三聚物GPC层析图之(Raman红外光)R.I.及(紫外光)U.V.(256毫微米)轨迹;图3系说明各种含溴结构之图示;图4系说明习用聚合物之熟化性质;图5及6系说明本发明三聚物之熟化性质;图7及8系说明本发明三聚物之热风老化性质。 |
