绝缘矽基板之加工方法

摘要

本发明之课题是提供一种可在研削所生之应力不会残留的状态下，进行薄化加工之绝缘矽基板的加工方法。本发明之解决手段是由：半导体基板所构成的背面层、和积层于该背面层上面之绝缘层、和积层于该绝缘层上面之半导体薄膜层、和形成于该半导体薄膜层表面之电路所构成的绝缘矽基板之加工方法，其中，包括下列步骤：研削背面层而残留预定厚度之研削步骤；和利用化学蚀刻处理，将藉由该研削步骤而形成预定厚度之该背面层加以去除，使绝缘层露出之蚀刻步骤。