发明名称 具有能捕获电荷之闸极介电质结构的依电性记忆体装置之电晶体及其制造方法
摘要 本发明系有关于一种具有能捕获电荷之闸极介电质结构的依电性记忆体装置之电晶体及其制造方法。在一依电性记忆体装置之一单元区域中的电晶体包括:一第一导电型之基板;一闸极介电质结构,能捕获电荷及形成于上述基板上;一闸极,形成于上述闸极介电质结构上;一闸极绝缘层,形成于上述闸极上;一第二导电型之源极/汲极,形成于上述基板之设置于上述闸极的每一横向侧边下面之一预定区域中;以及一第一导电型之通道离子布植区域,形成于上述基板之设置于上述闸极下面的一预定区域。
申请公布号 TW200532924 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW093119548 申请日期 2004.06.30
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李相敦;金一旭;安进弘;朴荣俊
分类号 H01L29/792 主分类号 H01L29/792
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国