发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY USING THE SAME, CMOS SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND PROCESS FOR FABRICATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>Dispositif à semi-conducteur comportant une porte en silicium ferroélectrique ou polycristallin sur laquelle on forme un film résistant à l'humidité faisant barrière à l'hydrogène, tel qu'un film de TiN ou TiON, grâce à un procédé filmogène ne provoquant pas de dégagement d'hydrogène.</p>
申请公布号 WO1992003849(P1) 申请公布日期 1992.03.05
申请号 JP1991001105 申请日期 1991.08.20
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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