摘要 |
<p>Dispositif à semi-conducteur comportant une porte en silicium ferroélectrique ou polycristallin sur laquelle on forme un film résistant à l'humidité faisant barrière à l'hydrogène, tel qu'un film de TiN ou TiON, grâce à un procédé filmogène ne provoquant pas de dégagement d'hydrogène.</p> |