发明名称 |
使用两种不同的金属化过程制造电路基片的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制造电路基片的方法,在此方法中,用了两种不同的过程如沉积过程和退除过程对基片进行处理。这样此方法就能有效地生产基片,通过一个有效的而且快速的方法,使基本具有两种不同程度的分辨能力的导电特性。如高密度的电路线和集成电路块热沉入块,从而确定了最终产品。 |
申请公布号 |
CN1156948A |
申请公布日期 |
1997.08.13 |
申请号 |
CN96119259.3 |
申请日期 |
1996.11.20 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
A·C·巴特;A·C·巴特;R·J·戴;T·P·达菲;J·A·奈特;R·W·马利克;V·R·马科维克 |
分类号 |
H05K1/02;H05K1/05 |
主分类号 |
H05K1/02 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
董江雄;邹光新 |
主权项 |
1一种制造电路基片的方法,此方法包括以下步骤:提供一个介质部件,此部件上包括一个第一导电材料层;用第一金属化过程由上述的第一导电材料层中在上述的介质部件上形成第一导电部分;在上述介质部件上提供第一介质材料层,此层至少有一个通道;以及使用不同于第一金属化过程的第二金属化过程,在上述的第一层介质材料的通道中形成第二导电部分,从而得到上述电路基片。 |
地址 |
美国纽约州 |