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Eine in einem Siliziumsubstrat ausgebildete integrierte Treiberschaltung zum Anteuern erster und zweiter gategesteuerter MOS-Leistungsbauteile, insbesondere für eine Gasentladungslampen-Vorschaltgeräteschaltung, schließt eine Zeitgeberschaltung zur Erzeugung eines Rechteckschwingungs-Ausgangssignals mit der Resonanz-Eigenfrequenz der Lastschaltung ein. Es sind Totzeit-Verzögerungsschaltungen in der integrierten Schaltung vorgesehen, um den gleichzeitigen leitenden Zustand der beiden in einer Halbbrückenschaltung angeordneten MOS-Leistungsbauteile zu verhindern.
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