| 主权项 |
1.一种光罩之对准方法,具有:形成对准标志之步骤:用至少含第1装置图案、具有上述第1装置图案之一部分或同等图案形状之对准标志、又具有与上述第1装置图案之一部分或同等图案形状之第1对准错位检查用标志之第1光罩,在晶圆上形成上述第1装置图案、上述对准标志、及上述第1对准错位检查用标志;执行第2光罩之定位之步骤,依上述对准标志形成于上述晶圆上之光阻膜,对具有上述第2装置图案之一部分或同等图案形状之第2对准错位检查用标志之上述第2光罩执行定位;及于上述光阻膜,于与上述第2装置图案及上述第1对准错位检查用标志关连之位置,形成上述第2对准错位检查用标志之曝光图案。2.如申请专利范围第1项之对准方法,其中共同使用含尺寸、形状互异之第1.第2装置图案元件之上述第1装置图案,与形成有含因应上述第1.第2装置图案元件尺寸、形状之第1.第2装置图案元件之上述对准标志之上述第1光罩,于上述晶圆上,与上述装置图案一同形成上述对准标志,依上述形成之对准标志之第1.第2对准标志元件位置,对上述晶圆执行上述第2光罩之定位。3.如申请专利范围第2项之对准方法,其中上述第1对准标志元件所具尺寸、形状之依上述光阻膜曝光所用曝光装置之光学系曝光位置错位量,系小于上述第2对准标志之曝光位置错位量。4.如申请专利范围第1项之对准方法,其中上述第1光罩具有尺寸、形状相同之第1.第2对准错位检查用基准标志,上述第2光罩具有:第1检查标志,具有与上述第1对准错位检查用基准标志相同尺寸、形状,与形成于上述晶圆上之上述第1对准错位检查用基准标志关连定位;及第2检查标志,其依上述光阻膜之曝光所用曝光装置之光学系曝光位置错位量,系大于上述第1检查标志曝光位置错位量,且与上述第2对准错位检查用基准标志关连定位;因应形成于上述第2光罩之装置图案尺寸、形状,选择性使用:上述第1对准错位检查用基准标志、与第1检查标志之第1组合;及上述第2对准错位检查用基准标志、与第2检查标志之第2组合;执行上述第1.第2光罩之曝光位置校正。5.如申请专利范围第1项之对准方法,其中上述第1光罩具有:第1对准错位检查用标志;第1基准图案;及第2对准错位检查用标志,具有大受肇始于曝光装置光学系之相对于第1基准图案之错位影响之上述第1装置图案之一部分或同等尺寸、形状;上述第2光罩具有:第2基准图案;第3对准错位检查用标志,具有大受肇始于上述曝光装置光学系之相对于第2基准图案之错位影响之上述第2装置图案之一部分或同等尺寸、形状;及第4对准错位检查用标志,与形成于上述晶圆上之上述第1对准错位检查用基准标志关连定位;算出:上述第1.第4对准错位检查用标志相互间之第1位置错位量;上述第1基准图案与第2对准错位检查用标志相互间之第2位置错位量;与上述第2基准图案与第3对准错位检查用标志相互间之第3位置错位量;之合计値,用上述合计値执行其他光罩之曝光位置校正。6.一种光罩之重叠检查方法,用至少含第1装置图案、具有上述第1装置图案之一部分或同等图案形状之对准标志、及具有与上述第1装置图案之一部分或同等图案形状之第1对准错位检查用标志之第1光罩,在晶圆上形成上述第1装置图案、上述对准标志、及上述第1对准错位检查用标志;对依上述对准标志形成于上述晶圆上之光阻膜,将具有上述第2装置图案之一部分或同等图案形状之第2对准错位检查用标志之上述第2光罩重叠曝光;用上述对准标志决定对上述晶圆之第2光罩重叠精确度;于上述光阻膜,于与上述第2装置图案及上述第1对准错位检查用标志关连之位置,形成上述第2对准错位检查用标志之曝光图案。7.如申请专利范围第6项之重叠检查方法,其中共同使用含尺寸、形状互异之第1.第2装置图案元件之上述第1装置图案,与形成有含因应上述第1.第2装置图案元件尺寸、形状之第1.第2装置图案元件之上述对准标志之上述第1光罩,于上述晶圆上,与上述装置图案一同形成上述对准标志,依上述形成之对准标志之第1.第2对准标志元件位置,对上述晶圆执行上述第2光罩之定位。8.如申请专利范围第7项之重叠检查方法,其中上述第1对准标志元件所具尺寸、形状,其依上述光阻膜之曝光所用曝光装置之光学系曝光位置错位量,系小于上述第2对准标志曝光位置错位量。9.如申请专利范围第7项之重叠检查方法,其中上述第1光罩具有尺寸、形状相同之第1.第2对准错位检查用基准标志,上述第2光罩具有:第1检查标志,具有与上述第1对准错位检查用基准标志相同尺寸、形状,形成于上述晶圆上之上述第1对准错位检查用基准标志关连定位;及第2检查标志,其依上述光阻膜之曝光所用曝光装置之光学系曝光位置错位量,系大于上述第1检查标志曝光位置错位量,且与上述第2对准错位检查用基准标志关连定位;因应形成于上述第2光罩之装置图案尺寸、形状,选择性使用:上述第1对准错位检查用基准标志、与第1检查标志之第1组合;及上述第2对准错位检查用基准标志、与第2检查标志之第2组合;执行上述第1.第2光罩之曝光位置校正。10.如申请专利范围第7项之重叠检查方法,其中上述第1光罩具有:第1对准错位检查用标志;第1基准图案;及第2对准错位检查用标志,具有大受肇始于曝光装置光学系之相对于第1基准图案之错位影响之上述第1装置图案之一部分或同等尺寸、形状;上述第2光罩具有:第2基准图案;第3对准错位检查用标志,具有大受肇始于上述曝光装置光学系之相对于第2基准图案之错位影响之上述第2装置图案之一部分或同等尺寸、形状;及第4对准错位检查用标志,与形成于上述晶圆上之上述第1对准错位检查用基准标志关连定位;算出:上述第1.第4对准错位检查用标志相互间之第1位置错位量;上述第1基准图案与第2对准错位检查用标志相互间之第2位置错位量;与上述第2基准图案与第3对准错位检查用标志相互间之第3位置错位量;之合计値,用上述合计値执行其他光罩之曝光位置校正。11.一种光罩,具有:装置图案;对准标志,其系形成为装置图案之一部分或同等尺寸、形状;及对准错位检查用标志,其系形成为上述装置图案形状之一部分或同等尺寸、形状。12.一种光罩,具有:装置图案形状,具有不同尺寸、形状之2种图案;对准标志,其所含标志系形成为对应于装置图案形状之不同尺寸、形状之2种形状;及对准错位检查用标志,其系形成为含上述装置图案形状之一部分之形状。13.一种光罩,具有:装置图案形状;对准标志,其系形成为含基准图案与上述装置图案形状之一部分之形状;及对准错位检查用标志,其系形成为含上述装置图案形状之一部分之形状。14.如申请专利范围第11至13项中任一项之光罩,其中上述对准标志与对准错位检查用标志,分别具有与上述装置图案形状同样之宽度、长度尺寸。图式简单说明:图1A-1C系用本发明方法用第1.第2光罩曝光时形成之对准标志与对准错位检查用标志及用此等形成之晶片平面图及曝光顺序示意图。图2A-2D系本发明之同一光罩上不同图案组合形成之对准标志各种例平面图。图3A-3C系本发明之图案复制形成之对准错位检查用标志例各平面图。图4系本发明之同一光罩上不同图案组合形成之对准标志其他例平面图。图5A、5B系本发明之同一光罩上不同图案组合形成之对准错位检查用标志其他例平面图。图6A-6E系用本发明之对准方法之半导体装置之依序制造步骤断面图。图7系用本发明之对准方法之晶圆平面图。图8系先前之对准错位检查用标志平面图。图9系本发明及先前之装置图案平面图。图10系先前之对准标志平面图。 |
