发明名称 薄膜电晶体之制造方法
摘要 本发明提供一种薄膜电晶体之制造方法,包括:形成一光阻层于一基底上。之后,以一单一曝光程序选择性地移除一部分之光阻层,以形成一光阻图案,而该光阻图案系包括一具有一第一宽度之第一部分结构与一具有一第二宽度之第二部分结构,且该第二部分结构系位于该第一部分结构下方。本发明提供之光阻图案可减少制作薄膜电晶体时所需使用之光罩数目。
申请公布号 TW200518347 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW093121881 申请日期 2004.07.22
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 陈坤宏
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号
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