| 主权项 |
1.一种用于制造具有一半导体本体之半导体元件的方法,该半导体本体包括:-一第一半导体结构,其具有一介电层及包括一第一导体之一第一电极;及-一第二半导体结构,其具有一介电层及包括一第二导体之一第二电极,该第二导体与该第一导体不同且其中连结该介电层的部分具有与该第一导体相对应部分不同的功函数;其中,在该介电层已被施加至该半导体本体后,一第一金属层被施加至该介电层上,接着,一矽层被施加至该金属层,而这二层在至少一半导体结构所在位置处彼此互相反应,而在那个位置形成一第一金属矽化物,其特征在于该些导体中具有不同功函数的该些部分系利用蚀刻该二半导体结构其中之一所在位置处与该矽层不同的一层所形成。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中,该第一金属层由选自镍、钛或钴之金属所构成。3.根据前述申请专利范围第1或2项之方法,同时包括在该第一金属层及该介电层间施加一第二金属层,该第二金属层系一非矽化金属层。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中,该第二金属层由选自钼、钨、铂、铱、钽或铪之金属所构成。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中,在该第一及第二半导体结构已被形成后,该方法又包括一第三金属层之沉积,该第三金属层系一矽化金属层,藉此在该第一及第二半导体结构至少其中之一所在位置处形成另一金属矽化物。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中,该第三金属层由选自镍、钛或钴之金属所构成。7.根据申请专利范围第5项之方法,其中,所形成之该另一金属矽化物的矽含量与该第一金属矽化物之矽含量不同。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中,该第一金属矽化物系形成为一二矽化物而该另一金属矽化物系形成为一单矽化物。9.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中,蚀刻与该矽层不同之一层系经由蚀刻该第一、第二或第三金属层来实现。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中,该第一或第二金属层系在施加该矽层前进行蚀刻。11.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中,该第一半导体结构及第二半导体结构系具有一闸极及一源极与汲极区域的场效电晶体。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中,该第三金属层系使用做为源极与汲极区域的接触连线。13.一种具有一半导体本体的半导体元件,该半导体本体包括:-一第一半导体结构,其具有一介电层及包括一第一导体之一第一闸极;及-一第二半导体结构,其具有一介电层及包括一第二导体之一第二闸极,该第二导体与该第一导体不同且其中连结该介电层的部分具有与该第一导体相对应部分不同的功函数;该半导体元件系使用根据申请专利范围第1或2项之方法所制造。14.根据申请专利范围第13项之半导体元件,其中,该第一半导体结构及该第二半导体结构系场效电晶体。图式简单说明:第1至6图显示根据本发明方法之一第一实施例之一半导体元件在各连续制造阶段中的剖面图;第7至12图显示根据本发明方法之一第二实施例之一半导体元件在各连续制造阶段中的剖面图;及第13至20图显示根据本发明方法之一第三实施例之一半导体元件在各连续制造阶段中的剖面图。 |
