被堆叠栅格结构深埋的滤色器阵列

摘要

本发明涉及具有设置在金属栅格的侧壁之间的滤色器的BSI图像传感器和形成方法。在一些实施例中，BSI图像传感器具有位于半导体衬底内的像素传感器，和位于像素传感器上面的介电材料层。金属栅格通过介电材料层与半导体衬底分隔开，以及堆叠栅格布置在金属栅格上方。堆叠栅格邻接开口，开口从堆叠栅格的上表面垂直延伸至横向布置在金属栅格的侧壁之间的位置。滤色器可以布置在开口内。通过使滤色器在金属栅格的侧壁之间垂直地延伸，滤色器和像素传感器之间的距离可以较小，从而提高BSI图像传感器的性能。本发明的实施例还涉及被堆叠栅极结构深埋的滤色器阵列。

主权项

一种背照式(BSI)图像传感器，包括：像素传感器，位于半导体衬底内；介电材料层，位于所述像素传感器上面；金属栅格，包括通过所述介电材料层与所述半导体衬底分隔开的金属框架；以及堆叠栅格，布置在所述金属栅格上方并且邻接开口，所述开口从所述堆叠栅格的上表面垂直地延伸至横向地布置在所述金属栅格的侧壁之间的位置。