发明名称 微缩结构及其成形加工方法
摘要 利用暂存系统制造大约10至20微米厚独立存在之缩小结构之方法,系包括选择基质材料、于基质材料上沈积金属暂存层材料,以及将暂存层图案化以定义出一个形状等步骤。于暂存层上沈积光阻层材料,并藉增加对比曝光显影法使其图案化以形成光阻模具。在模具上再镀上一层金属层材料。经电镀上之结构系与光阻之曲线一致,其厚度为知多晶矽微结构的好几倍。随后利用蚀刻剂溶解光阻模具及暂存层,以形成大约10至20微米厚独立存在之金属结构,其纵向对横向之纵横比为9:1至10:1或更多。
申请公布号 TW226475 申请公布日期 1994.07.11
申请号 TW082104630 申请日期 1993.06.11
申请人 万国商业机器公司 发明人 方隆生;汉斯.希木.查比
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒一种制造缩小结构之方法,包括下列步骤:选择基质材料;于基质材料上沈积暂存层材料;将暂存层图案化,以定义一形状;在暂存层上沈积光阻层材料;藉增加对比曝光显影法将光阻层图案化,形成光阻模具;在光阻模具上电镀金属层材料;及利用蚀刻剂溶解光阻模具及暂存层,以形成独立存在之金属结构。2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中暂存层、金属层及蚀刻剂系经选择,以提供高蚀刻选择性,使蚀刻暂存层之速率比蚀﹒刻金属层之速率大得多。3﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中暂存层系以玻璃材料形成,金属层系以过渡元素形成,且蚀刻剂系以HF为主之酸类材料制得。4﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中暂存层系磷矽玻璃(PSG),金属层系铜或铬,且蚀刻剂系氢氟酸(HF)。5﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积光阻层之步骤更进一步包括在光阻层上沈积增加对比层之步骤。6﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积光阻层之步骤更进一步包括在光阻层上沈积障层及在障层上沈积改善对比层之步骤。7﹒根据申请专利范围第4项之方法,其中增加对比层系以其中含有可漂白染料之组成所形成。8﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中使光阻层图案化之步骤包括在光阻层上加光罩及曝光未罩住之光阻层部分,此系使用可提供具有大约365毫微米波长之平行照射来源之微小数値孔径投影系统。9﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中系形成不小于大约2微米之光阻层。10﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中光阻层系经图案化以提供具有最大纵横比至少为9:1的独立存在之结构。图示简单说明:图1照本发明所制造之微致动器结构的平面示意视图。图2A至2M系举例说明图l之微致动器结构的构造之不同步骤。图3系沿图1直线3-3所取之横截3面视图。图4系磁性及/或光学储存装置之滑件寻迹系统的端视示意图。图图5系磁性及/或光学资料储存系统之磁头寻迹系统的侧视示意图。4图6系根据本飨明所构成之区域有效多电极微致动器系统之平面示意图。图7系图6区域有效微致动器之部分详细视图。
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