| 主权项 |
1.一种具有自动对准之光罩式唯读记忆体的编码方法,适用于对光罩式唯读记忆体的记忆单元掺植编码成第一状态及第二状态,且上述光罩式唯读记忆体包括:一基板、形成于上述基板的位元线以及绝缘地形成于上述基板及位元线上而构成上述记忆单元的字元线;其特征在于:于形成上述字元线之前,先于上述字元线之间的上述基板上形成遮蔽物;以及以上述遮蔽物为罩幕,植入掺植杂质,而使欲形成上述第一状态的记忆单元形成第一状态,而上述其他记忆单元形成上述第二状态。2.如申请专利范围第1项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的编码方法,其中,更包括于上述遮蔽物之间形成上述字元线的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的编码方法,其中,形成上述字元线的步骤系包括:于上述遮蔽物之间的上述基板上形成闸极氧化物以及于上述闸极氧化物上形成复晶矽而构成上述字元线。4.如申请专利范围第3项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的编码方法,其中,更包括去除上述遮蔽物的步骤。5.如申请专利范围第4项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的编码方法,其中,上述遮蔽物为氮化物。6.如申请专利范围第4项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的编码方法,其中,上述遮蔽物为氧化物。7.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的编码方法,其中,上述第一状态为不导通状态,而上述第二状态为导通状态。8.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项所述之具有自动对准之光罩式唯读记忆体的编码方法,其中,上述第一状态为导通状态,而上述第二状态为不导通状态。第1图系显示用以说明习知光罩式唯读记忆体之编码方法的上视图;第2图系显示沿着第1图中Ⅱ-Ⅱ线所取的剖面图;第3图系显示沿着第1图中Ⅲ-Ⅲ线所取的剖面图;以及第4图至第9图系显示用以说明本发明之编码方法的 |
