制造半导体装置的设备以及使用其制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体装置的设备以及使用其制造半导体装置的方法。本发明控制热源单元，使得在两个阶段中用光照射其中形成含氢待处理层的待处理物体，且由此可以抑制和防止半导体装置的电特征由于氢而劣化。也就是说，先照射的紫外光可以引发用于分离待处理层中的Si‑H键的化学反应，并且再照射的红外光可以引发用于使从Si‑H键分离的氢气化的热反应。因此，执行用于分离待处理层中的氢和其它离子的键的化学反应和用于使氢气化的热反应两个，由此与仅通过热反应从待处理层中气化氢的温度相比可以更容易地清除氢。

主权项

一种用于制造半导体装置的设备，包括：腔室，用于提供其中处理待处理物体的空间；载台，安置在所述腔室内部并且其上安装有所述待处理物体；热源单元，经配置以在两个阶段中用光照射所述待处理物体；以及控制单元，连接到所述热源单元以控制所述热源单元，使得在所述两个阶段中照射光。