| 主权项 |
1.一种具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,适用在一基底上,包括:在该基底上形成一闸极,该闸极侧壁上形成有一间隙壁:形成一选择性磊晶矽;在该间隙壁侧边之该基底形成一源/汲极区;去除该间隙壁;以及在该闸极侧边之该基底形成一极浅接面。2.如申请专利范围第1项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该闸极与该基底之间以一闸极氧化物层隔离。3.如申请专利范围第1项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该间隙壁之材质包括绝缘材料。4.如申请专利范围第1项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该源/汲极区系对该基底进行一离子植入而形成,其中该离子植入系透过该选择性磊晶矽而进入该基底。5.如申请专利范围第1项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该间隙壁包括以湿蚀刻法去除。6.如申请专利范围第1项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该极浅接面系对该基底进行一离子植入而形成。7.一种具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底;在该基底上形成一闸极,而该闸极侧壁上形成有一绝缘间隙壁;在该绝缘间隙壁侧边的该基底上形成一选择性磊晶矽,覆盖暴露出的该基底表面;对该基底进行一第一植入,在该选择性磊晶矽下之该基底形成一源/汲极区;去除该绝缘间隙壁,暴露出与该闸极侧边邻接的该基底表面;以及对该基底进行一第二植入,在暴露出的该基底形成一极浅接面。8.如申请专利范围第7项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该绝缘间隙壁包括以绝缘材料构成。9.如申请专利范围第7项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该选择性磊晶矽更形成在该闸极上。10.如申请专利范围第7项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该选择性磊晶矽之形成包括通入CH2Cl2.H2.Si、HCl等来源气体。11.如申请专利范围第10项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该选择性磊晶矽之形成在温度约为800-850℃,压力约为15torr下进行。12.如申请专利范围第7项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该第一植入之离子系穿透该选择性磊晶矽层而进入该基底,形成该源/汲极区。13.如申请专利范围第7项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该第一离子植入之植入离子包括硼,该第二离子植入之植入离子包括BF2+。14.如申请专利范围第7项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该第一离子植入与该第二离子植入之植入离子包括砷。15.如申请专利范围第7项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中该绝缘间隙壁包括以湿蚀刻法去除。16.如申请专利范围第7项所述之具有选择性磊晶矽的金氧半电晶体的制造方法,其中在形成该源/汲极区之后更包括在该选择性磊晶矽上形成一金属矽化物。图式简单说明:第一图系显示一种习知具有选择性磊晶矽层之金氧半电晶体剖面图;以及第二图A-第二图C系显示根据本发明较佳实施例之具有选择性磊晶矽层之金氧半电晶体之制造流程剖面图。 |
