半导体装置的接合垫结构及其制造方法

摘要

一种接合垫结构及制造接合垫结构的方法可让连接一引线至接合垫结构的过程中有大的组装过程容限。一第一绝缘层系形成于半导体基体上。一第一传导层图案系形成于该第一绝缘层的一部位上。基体与第一传导层图案被一第二绝缘层覆盖。一第二传导层图案系形成于该第二绝缘层的一部位上以便被直接置于第一传导层图案上面。合成的结构系以一第三绝缘层覆盖。第三绝缘层与第二绝缘层依序形成图案形成一通孔，透过该通孔，第二传导层图案之顶表面与第一传导层图案之一周边部位被暴露。形成图案步骤藉扩展一预先形成于第二传导层图案一周边部位的开口，经透过第二绝缘层暴露第一传导层。或者，形成图案步骤能在第三绝缘层与第二传等层图案周边端缘之间形成一初步的开口，接着扩展该开口穿过第二绝缘层。该通孔于是接着被形成固案并电气连接第二与第一传导层图案的一第三传导层填满。以此方式，接着在一梁式引线待被接合的第三传导层图案顶表面与具有在其中形成第三传导层图案之通孔的第三绝缘层之间并不会有阶级。

主权项

1.一种半导体装置结构,用以电气连接该半导体装置至外部电子元件,该结构包含:一第一绝缘层,配置于一半导体基体上;一第一传导层图案,仅覆盖该第一绝缘层的一部位;一第二绝缘层,覆盖该第一传导层图案与第一绝缘层;一第二传导层图案,仅配置于该第二绝缘层的一部位,该第二传导层图案直接置于该第一传导层图案上面;该第二绝缘层第二传导层图案构成一多层结构,该多层结构具有一紧邻第二传导层图案周边端缘界定的开口,该开口暴露第一传导层图案的一周边端缘部位;一第三绝缘层,配置于第二绝缘层上,该第三绝缘层具有一暴露第二传导层图案的通孔及该开口的通孔;以及一第三传导层图案,充填该通孔,第三传导层图案直接与该第二传导层图案整个顶表面接触,且透过该开口电气连接至第一传导层图案。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置结构,其中第一传导层图案系一多晶矽图案。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置结构,其中该第二传导层图案系一金属图案,且第一金属图案配置于半导体结构上面。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置结构,其中该开口延伸经第二传导层图案之一周边端缘部位。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置结构,其中该开口系一沿着该第二传导层图案延伸的连续裂缝。6.如申请专利范围第4项所述之半导体装置结构,其中该开口包含多数个分离的孔。7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置结构,其中该开口系向该第二传导层图案外面设置并包含一暴露且沿着该第二传导层图案延伸的裂缝。8.如申请专利范围第1项所述之半导体装置结构,其该第三传导层图案系一金属图案,且第二金属图案设置于半导体基体上方。9.如申请专利范围第1项所述之半导体装置结构,进一步包含一配置于该第三传导层图案上之钝化层,该钝化层具有一暴露该第三传导层图案的垫开口。10.如申请专利范围第1项所述之半导体装置结构,进一步包含一电引线,其一自由端接合至该第三传导层图案顶表面一中间部位。11.一种制造半导体装置结构的方法,该半导体装置结构系用以电气连接半导体装置至外部电子元件,该方法包含:在一半导体基体上形成一第一绝缘层;仅在该第一绝缘层一部位上形成一第一传导层图案;在该第一传导层图案与第一绝缘层上面形成一第二绝缘层;仅在该第二绝缘层一部位上直接在第一传导层图案上面形成一第二传导层图案,该第二传导层图案具有开口延伸穿过其周边端缘部位;在包括该第二传导层图案的半导体基体的整个表面上面形成一第三传导层图案;接着形成该第三绝缘层与第一绝缘层图案,利用该第二传导层图案的开口,形成一暴露该第二传导层图案与第一传导层图案一周边端缘部位的通孔;以及以传导材料充填该通孔以形成一第三传导层图案,该第三传导层图案透过该通孔电气连接至该第二传导层图案顶表面及至第一传导层图案顶表面。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中第一传导层图案之该形成步骤包含形成一多晶矽的第一传导层图案。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中第一传导层图案之该形成步骤包含于第二传导层图案周边端缘部位形成一环状裂缝,作为开口。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中第二传导层图案之该形成步骤包含于第二传导层图案周边端缘部位形成多数个孔,作为开口。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中第二传导层图案之该形成步骤包含于半导体基体上形成一第一金属层。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中第三传导层图案之该形成步骤包含形成于半导体基体上一第二金属层。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其进一步包含于该第三传导层图案已被形成之后,在半导体基体上形成一钝化层,该钝化层具有一暴露该第三传导层图案的垫开口。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其进一步包含将一电引线之一自由端接合至该第三传导层图案顶表面一中间部位。19.一种制造半导体装置结构的方法,该半导体装置结构系用以电气连接半导体装置至外部电子元件,该方法包含:在一半导体基体上形成一第一绝缘层;仅在该第一地缘层一部位上形成一第一传导层图案;在该第一传导层图案与第一绝缘层上面形成一第二绝缘层;仅在该第二绝缘层一部位上形成一第二传导层图案,该第二传导层图案直接置于该第一传导层图案一中间部位且较该第一传导层图案窄,故该第二传导层图案不会直接置于该第一传导层图案一周边端缘部位上面;在包括该第二传导层图案的半导体基体的整个表面上面形成一第三传导层图案;接着形成该第三绝缘层与第二绝缘层图案,以形成一暴露该第二传导层图案整个顶表面与第一传导层图案一周边端缘部位的通孔;以及以传导材料充填该通孔以形成一第三传导层图案,该第三传导层图案透过该通孔电气连接至该第二传导层图案顶表面及至该第一传导层图案顶表面。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中第一传导层图案之该形成步骤包含形成一多晶矽的第一传导层图案。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中第二传导层图案之该形成步骤包含于半导体基体上形成一第一金属层。22.如申请专利范围第19项所述之方法,其中第三与第二绝缘层之该形成图案步骤包含形成比该第二传导层图案宽以及该第一传导层图案窄的的通孔。23.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该第三传导层图案之该形成步骤包含在半导体基体上形成一第二金属层。24.如申请专利范围第19项所述之方法,其进一步包含于第三传导层图案已被形成之后,在半导体基体上形成一钝化层,该钝化层具有一暴露该第三传导层图案的垫开口。25.如申请专利范围第19项所述之方法,其进一步包含将一电引线的一自由端接合至该第三传导层图案顶表面一中间部位。图式简单说明:第1图系一显示根据根据本发明之一种接合垫结构之一实施例的平面图;第2图系一显示根据本发明之一种接合垫结构之另一实施例的平面图;第3至6图系沿着第1图之线I-I或第2图之线II-II的剖面图,在根据本发明之制造接合垫之方法的选定阶段;第7图系一显示根据本发明之一种接合垫结构的另一实施例的平面图;及第8至11图系沿着第7图之线III-III的剖面线,在根据本发明之制造接合垫之方法的选定阶段。