| 主权项 |
1. 一种制备小胞发泡体之方法,其包括使用改质致密星形聚合物作凝核剂,其具有一种单体组成的高度分支内部及一种可提供疏水外壳且具不同单体组成的外部结构,及其粒子直径为5至1,000尘米(nm),连同使用一种基体聚合物,及一种物理发泡剂,并在压力及加温下挤推出上述组成物而将所获致之挤出组成物予以发泡。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中该改质致密星形聚合物之高度分支内部结构系由以胺基为端基之聚醯胺基胺树状体,以羟基为端基之聚醚树状体,或以胺基为端基之聚伸乙基亚胺树状体所组成。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中该改质致密星形聚合物之疏水外壳系由4至40碳原子(含)之疏水基组成。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中该疏水基具有4至24碳原子(含)。5. 如申请专利范围第3项之方法,其中该疏水基包含具有4至40碳原子之直链烷基可选择性分别取代有:羟基,C@ss1-C@ss1@ss0烷基,C@ss1-C@ss1@ss0烷氧基,苯基或取代有1至5个C@ss1-@ss5烷基或C@ss1-C@ss5烷氧基之苯基,或苯氧基或取代有C@ss1-@ss5烷基或C@ss1-C@ss5烷氧基之苯氧基。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中该改质致密星形聚合物系由以胺基为端基之聚醯胺基胺树状体作其高度分支内部结构衍生而得。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中该改质致密星形聚合物系由以胺基为端基之聚醚树状体作其高度分支内部结构衍生而得。8. 如申请专利范围第1项之方法,其中该改质致密星形聚合物系由以胺基为端基之聚伸乙基亚胺树状体作其高度分支内部结构衍生而得。9. 如申请专利范围第1项之方法,其中该改质致密星形聚合物系由以胺基为端基之聚伸丙基亚胺树状体作其高度分支内部结构衍生而得。10. 如申请专利范围第1项之方法,其中该改质致密星形聚合物为含4,4-二苯基丁-1-烯氧化物之第七代以胺基为端基聚醯胺基胺树状体。11. 如申请专利范围第6项之方法,其中该改质致密星形聚合物为含4,4-二苯丁基-1-烯氧化物之第七代以胺基为端基之聚醯胺基胺树状体。12. 如申请专利范围第6项之方法,其中该改质致密星形聚合物为含11,11-二苯基十一碳-1-烯氧化物之第7代以胺基为端基之聚醯胺基胺树状体。13. 如申请专利范围第6项之方法,其中该改质致密星形聚合物为11,11-二苯基十一碳-1-烯氧化物之第10代以胺基为端基之聚醯胺基胺树状体。14. 如申请专利范围第1项之方法,其中该发泡体为使用经以缩水甘油基改质的第10代聚醯胺基胺致密星形聚合物作改质致密星形聚合物之一种聚苯乙烯发泡体。15. 如申请专利范围第1项之方法,其中该发泡体为使用经以11,11-二苯基十一碳-1-烯氧化物改质的第10代聚醯胺基胺致密星形聚合物作改质致密星形聚合物之一种聚苯乙烯发泡体。16. 如申请专利范围第1项之方法,其中该发泡体为使用经以4,4-二苯基丁-1-烯氧化物改质的第10代聚醯胺基胺致密星形聚合物作改质致密星形聚合物之一种聚苯乙烯发泡体。17. 一种小胞发泡体,包括一种改质致密星形聚合物或树状体,以及一种基体聚合物,该改质致密星形聚合物或树状体具有一种单体组成的高度分支内部及一种可提供疏水外壳且具不同单体组成的外部结构,及其粒子直径为由5至1,000尘米(nm)。18. 如申请专利范围第17项之发泡体,其中该改质致密星形聚合物或树状体为改质聚醯胺基胺致密星形聚合物及基体聚合物为聚苯乙烯。19. 如申请专利范围第17项之发泡体,其中该改质致密星形聚合物或树状体为改质聚醯胺基胺致密星形聚合物及基体聚合物为苯乙烯/辛烯共聚物。20. 如申请专利范围第19项之发泡体,其中该改质聚醯胺基胺致密星形聚合物或树状体为第十代者。21. 一种聚合物掺合物,包括改质致密星形聚合物或树状体,以及一种基体聚合物,该改质致密星形聚合物或树状体具有一种单体组成的高度分支内部及一种可提供疏水外壳且具不同单体组成的外部结构,及其粒子直径为由5至1,000尘米(nm)及基体聚合物。22. 如申请专利范围第21项之聚合物掺合物,其中该基体聚合物为热塑聚合物。23. 如申请专利范围第21项之聚合物掺合物,其中该改质致密星形聚合物为改质聚醯胺基胺致密星形聚合物。24. 如申请专利范围第21项之聚合物掺合物,其中该基体聚合物为聚(甲代丙烯酸甲酯)或聚苯乙烯。25. 如申请专利范围第21项之聚合物掺合物,其中该改质 |
