| 主权项 |
1.一种电磁干扰抑制体,系用来抑制由于不需要电磁波之干扰而发生之电磁障害者,其特征为具有导电性支持体(1)和设于该导电性支持体之至少一面上之绝缘性软磁性体层(2),该绝缘性软磁性体层系至少含有有机结合剂(4)与分散于该有机结合剂(4)中之软磁性体粉末(3),该软磁性体粉末呈扁平状及/或针状,且在该绝缘性软磁性层中取向排列。2.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中具有设于该绝缘性软磁性体层之至少一面上之介电体层(11),该介电体层系含有介电体粉末和有机结合剂。3.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中具有导电性支持体和设于该导电性支持体之间之介电体层(11),该介电体层含有介电体粉末及有机结合剂。4.如申请专利范围第1或2项之电磁干扰抑制体,其中介电体粉末系为高频率中具有高介电率。5.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中导电性支持体(1)系为导电体板,网目状导电体板,或导电性纤维之编织物。6.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中导电性支持体系由绝缘底材和于该绝缘底材之至少一面上蒸镀而成之导电性膜所组成。7.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中导电性支持体系由绝缘底材和于该绝缘底材之至少一面上蒸镀而成之软磁性金属薄膜所组成。8.如申请专利范围第6或7项之电磁干扰抑制体,其中绝缘底材系以如申请专利范围第1项之绝缘性软磁性体层(2)或如申请专利范围第2或3项之介电体层(11)替代。9.如申请专利范围第1或3项之电磁干扰抑制体,其中导电性支持体(1)系由导电性微粉末和有机结合剂所组成。10.如申请专利范围第1或3项之电磁干扰抑制体,其中导电性支持体具有绝缘底材和设于该绝缘底材之至少一面上之导电体层,该导电体层含有导电性微粉末和有机结合剂。11.如申请专利范围第1或3项之电磁干扰抑制体,其中导电性支持体为具有软磁性之导电性软磁性支持体。12.如申请专利范围第11项之电磁波干扰抑制体,其中导电性软磁性支持体为软磁性金属板,网目状软磁性金属板,或软磁性金属纤维之编织物。图示简单说明:第一图系表示本创作之电磁干扰抑制体之第1实施例之一部份断面图。第二图系以共通构成表示本创作之电磁干扰抑制体之导电性支持体之第2实施例,及第3实施例之一部份断面图。第三图系表示本创作之电磁干扰抑制体之导电性支持体之第4实施例之一部份断面图。第四图系表示本创作之电磁干扰抑制体之导电性支持体之第5实施例之一部份断面图。第五图系表示本创作之电磁干扰抑制体之第6实施例,(a)及(b)系表示设置于导电性支持体上之两个层被设置成相互相反之关系之状态之例之各自一部份断面图。第六图系表示本创作之电磁干扰抑制体之第7实施例之一部份断面图。第七图系表示将本创作之电磁干扰抑制体构装于配线基板间之状态之应用例之概略断面图。第八图系表示用为评估本创作电磁干扰抑制体之特性之评估系统,(a)系用为测定透磁准位之评估系统概略图,(b)系用为测定耦合准位之评估系统概略图。第九图系表示用第八图(a)及第八图(b)之评估系统对比较用试料测出之电磁波干扰抑制效果之频率依存性,(a)系透磁准位之频率特性曲线,(b)系耦合准位之频率特性曲线。第十图系表示用第八图(a)及第八图(b)之评估系统对评估用试料测出之电磁波干扰抑制效果之频率依存性,(a)系透磁准位之频率特性曲线,(b)系耦合准位之频率特性曲线。第十一图系表示有关评估用试料及比较用试料在频率为800MHz时之各试料之透磁准位及耦合准位之曲线。 |
